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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 105W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y08-40B/C,115
  仓库库存编号：BUK7Y08-40B/C,115-ND
  别名：934064767115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 35.3A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y25-40B/C,115
  仓库库存编号：BUK7Y25-40B/C,115-ND
  别名：934064769115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK663R5-55C,118
  仓库库存编号：1727-5523-1-ND
  别名：1727-5523-1
  568-7002-1
  568-7002-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35.2A （Tc） 48.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN013-100XS,127
  仓库库存编号：568-9499-5-ND
  别名：568-9499-5
  934066044127
  PSMN013-100XS,127-ND
  PSMN013-100XS127
  PSMN013100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 32.1A（Tc） 46.1W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN016-100XS,127
  仓库库存编号：568-9500-5-ND
  别名：568-9500-5
  934066045127
  PSMN016-100XS,127-ND
  PSMN016-100XS127
  PSMN016100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN5R6-100XS,127
  仓库库存编号：568-9496-5-ND
  别名：568-9496-5
  934066041127
  PSMN5R6-100XS,127-ND
  PSMN5R6-100XS127
  PSMN5R6100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN7R0-100XS,127
  仓库库存编号：568-9497-5-ND
  别名：934066042127
  PSMN7R0-100XS,127-ND
  PSMN7R0-100XS127
  PSMN7R0100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 44.2A（Tc） 52.6W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN9R5-100XS,127
  仓库库存编号：568-9498-5-ND
  别名：568-9498-5
  934066043127
  PSMN9R5-100XS,127-ND
  PSMN9R5-100XS127
  PSMN9R5100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N04S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPB45N04S4L-08
  IPB45N04S4L-08-ND
  SP000711444
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPD100N06S4-03
  IPD100N06S4-03-ND
  SP000415576
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S402AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S4-02
  IPP120N04S4-02-ND
  SP000764734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPP90N04S402AKSA1-ND
  别名：IPP90N04S4-02
  IPP90N04S4-02-ND
  SP000646200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4410ZGPBF
  仓库库存编号：IRFI4410ZGPBF-ND
  别名：SP001572644
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB022N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB022N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB022N04L GCT
  IPB022N04L GCT-ND
  IPB022N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB023N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB023N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB023N04N GCT
  IPB023N04N GCT-ND
  IPB023N04NG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB023N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB023N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB023N06N3 GCT
  IPB023N06N3 GCT-ND
  IPB023N06N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB039N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB039N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB039N04L GCT
  IPB039N04L GCT-ND
  IPB039N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB041N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB041N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB041N04N GCT
  IPB041N04N GCT-ND
  IPB041N04NG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB049N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPB049N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPB049N06L3 GCT
  IPB049N06L3 GCT-ND
  IPB049N06L3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB052N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB052N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB052N04N GCT
  IPB052N04N GCT-ND
  IPB052N04NG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB065N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB065N15N3 G E8187CT
  IPB065N15N3 G E8187CT-ND
  IPB065N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB072N15N3 G E8187CT
  IPB072N15N3 G E8187CT-ND
  IPB072N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB075N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB075N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB075N04L GCT
  IPB075N04L GCT-ND
  IPB075N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB093N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB093N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB093N04L GCT
  IPB093N04L GCT-ND
  IPB093N04LG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB097N08N3 G
  仓库库存编号：IPB097N08N3 GCT-ND
  别名：IPB097N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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