产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4610
仓库库存编号：
AUIRFS4610-ND
别名：SP001522872
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44VZS
仓库库存编号：
AUIRFZ44VZS-ND
别名：SP001517600
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ44ZS
仓库库存编号：
AUIRFZ44ZS-ND
别名：SP001518774
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFZ48ZS
仓库库存编号：
AUIRFZ48ZS-ND
别名：SP001518766
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRL1404ZS
仓库库存编号：
AUIRL1404ZS-ND
别名：SP001520668
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR024N
仓库库存编号：
AUIRLR024N-ND
别名：SP001523060
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2703
仓库库存编号：
AUIRLR2703-ND
别名：SP001523052
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905
仓库库存编号：
AUIRLR2905-ND
别名：SP001516026
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2905Z
仓库库存编号：
AUIRLR2905Z-ND
别名：SP001522326
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR3705Z
仓库库存编号：
AUIRLR3705Z-ND
别名：SP001516266
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTR1PBF-ND
别名：IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTRPBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTRPBF-ND
别名：SP001523948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TR1PBF-ND
别名：SP001523958
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TRPBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3607GPBF
仓库库存编号：
IRFB3607GPBF-ND
别名：SP001577820
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AD
详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4066-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4066-EPBF-ND
别名：SP001540800
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK6507-55C,127
仓库库存编号：
568-7487-5-ND
别名：568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 77A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK6510-75C,127
仓库库存编号：
568-7489-5-ND
别名：568-7489-5
934064248127
BUK6510-75C,127-ND
BUK651075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R2-55C,127
仓库库存编号：
568-7495-5-ND
别名：568-7495-5
934064468127
BUK653R2-55C,127-ND
BUK653R255C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R4-40C,127
仓库库存编号：
568-7496-5-ND
别名：568-7496-5
934064252127
BUK653R4-40C,127-ND
BUK653R440C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号：
568-7497-5-ND
别名：568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号：
568-7498-5-ND
别名：568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK654R0-75C,127
仓库库存编号：
568-7499-5-ND
别名：568-7499-5
934064237127
BUK654R0-75C,127-ND
BUK654R075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK654R6-55C,127
仓库库存编号：
568-7500-5-ND
别名：568-7500-5
934064246127
BUK654R6-55C,127-ND
BUK654R655C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号：
568-7502-5-ND
别名：568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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