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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD068N10N3 G
  IPD068N10N3 G-ND
  SP000469892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD088N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD088N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD088N04L G
  IPD088N04L G-ND
  SP000354798
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD096N08N3 G
  IPD096N08N3 G-ND
  SP000474196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD105N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD105N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD105N04L G
  IPD105N04L G-ND
  SP000354796
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD12CN10N G
  IPD12CN10N G-ND
  SP000096476
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CNE8N G
  仓库库存编号：IPD12CNE8N G-ND
  别名：SP000096477
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD135N08N3 G
  IPD135N08N3 G-ND
  SP000454266
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD14N06S280ATMA1
  仓库库存编号：IPD14N06S280ATMA1TR-ND
  别名：IPD14N06S2-80
  IPD14N06S2-80-ND
  SP000252161
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA1
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
  别名：IPD15N06S2L-64
  IPD15N06S2L-64-ND
  SP000252162
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD160N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD160N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD160N04L G
  IPD160N04L G-ND
  SP000387933
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD16CN10N G
  仓库库存编号：IPD16CN10N G-ND
  别名：SP000096454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD16CNE8N G
  仓库库存编号：IPD16CNE8N G-ND
  别名：SP000096455
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD170N04NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD170N04NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD170N04N G
  IPD170N04N G-ND
  SP000388297
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CNE8N G
  仓库库存编号：IPD25CNE8N G-ND
  别名：SP000096457
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25N06S240ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S240ATMA1TR-ND
  别名：IPD25N06S2-40
  IPD25N06S2-40-ND
  SP000252164
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA1
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
  别名：IPD26N06S2L-35
  IPD26N06S2L-35-ND
  SP000252165
  
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  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S2L07ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N03S2L-07
  IPD30N03S2L-07-ND
  SP000254463
  
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  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S223ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N06S223ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N06S2-23
  IPD30N06S2-23-ND
  SP000252166
  
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  MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD33CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD33CN10N G
  IPD33CN10N G-ND
  SP000096458
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD49CN10N G
  仓库库存编号：IPD49CN10N G-ND
  别名：SP000096459
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S214ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2-14
  IPD50N06S2-14-ND
  SP000252171
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S2L13ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2L-13
  IPD50N06S2L-13-ND
  SP000252172
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD64CN10N G
  仓库库存编号：IPD64CN10N G-ND
  别名：SP000104810
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80N06S3-09
  仓库库存编号：IPD80N06S3-09-ND
  别名：SP000264473
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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