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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS135N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS135N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS135N03L G
  IPS135N03LGIN
  IPS135N03LGIN-ND
  IPS135N03LGXK
  SP000257455
  SP000788220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU050N03L G
  仓库库存编号：IPU050N03LGIN-ND
  别名：IPU050N03LGIN
  IPU050N03LGXK
  SP000271468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU060N03L G
  仓库库存编号：IPU060N03LGIN-ND
  别名：IPU060N03LGIN
  IPU060N03LGXK
  SP000260749
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU090N03L G
  仓库库存编号：IPU090N03LGIN-ND
  别名：IPU090N03LGIN
  IPU090N03LGXK
  SP000260751
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU105N03L G
  仓库库存编号：IPU105N03LGIN-ND
  别名：IPU105N03LGIN
  IPU105N03LGXK
  SP000271466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N03L G
  仓库库存编号：IPU135N03LGIN-ND
  别名：IPU135N03LGIN
  IPU135N03LGXK
  SP000260752
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB096N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB096N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPB096N03LGINCT
  IPB096N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4620PBF
  仓库库存编号：IRFSL4620PBF-ND
  别名：SP001567964
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5620PBF
  仓库库存编号：IRFSL5620PBF-ND
  别名：SP001552384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4620PBF
  仓库库存编号：IRFU4620PBF-ND
  别名：SP001573610
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5620TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD77NQ03T,118
  仓库库存编号：PHD77NQ03T,118-ND
  别名：934060505118
  PHD77NQ03T /T3
  PHD77NQ03T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU77NQ03T,127
  仓库库存编号：PHU77NQ03T,127-ND
  别名：934060504127
  PHU77NQ03T
  PHU77NQ03T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU97NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU97NQ03LT,127-ND
  别名：934061436127
  PHU97NQ03LT
  PHU97NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB05CN10N G
  仓库库存编号：IPB05CN10N G-ND
  别名：SP000096440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB06CN10N G
  仓库库存编号：IPB06CN10N G-ND
  别名：SP000096446
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB08CN10N G
  仓库库存编号：IPB08CN10N G-ND
  别名：SP000096448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB08CNE8N G
  仓库库存编号：IPB08CNE8N G-ND
  别名：SP000096449
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S204ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S204ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N04S2-04
  IPB100N04S2-04-ND
  SP000219061
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S2L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N04S2L-03
  IPB100N04S2L-03-ND
  SP000219065
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S205ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N06S205ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N06S2-05
  IPB100N06S2-05-ND
  SP000218874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S2L05ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
  别名：IPB100N06S2L-05
  IPB100N06S2L-05-ND
  SP000219003
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB114N03L G
  仓库库存编号：IPB114N03L G-ND
  别名：SP000304102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB12CN10N G
  仓库库存编号：IPB12CN10N G-ND
  别名：SP000096450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB12CNE8N G
  仓库库存编号：IPB12CNE8N G-ND
  别名：SP000096451
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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