产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 85A(Tc) 350W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4321PBF
仓库库存编号:
IRFSL4321PBF-ND
别名:SP001550194
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540NSTRL
仓库库存编号:
IRL540NSTRLCT-ND
别名:IRL540NSTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB119NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB119NQ06T,118-ND
别名:934058551118
PHB119NQ06T /T3
PHB119NQ06T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 98W(Tc) D2PAK
型号:
PHB23NQ10LT,118
仓库库存编号:
PHB23NQ10LT,118-ND
别名:934055798118
PHB23NQ10LT /T3
PHB23NQ10LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3515STRLPBFCT-ND
别名:IRF3515STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名:IRF3704STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP04CN10NG
仓库库存编号:
IPP04CN10NGIN-ND
别名:IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3706CPBF
仓库库存编号:
IRFR3706CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZCPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305CPBF
仓库库存编号:
IRFR5305CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7811WCPBF
仓库库存编号:
IRLR7811WCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4104-701PBF
仓库库存编号:
IRFU4104-701PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3709Z-701P
仓库库存编号:
IRFU3709Z-701P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716SPBF
仓库库存编号:
IRL3716SPBF-ND
别名:SP001568304
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103PBF
仓库库存编号:
IRF6215L-103PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Ta) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NCPBF
仓库库存编号:
IRFR220NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 88W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3706-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3706-701PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSPBF
仓库库存编号:
IRF9520NSPBF-ND
别名:SP001551696
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号:
IRFSL23N20D102P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 60A(Ta) D-Pak
型号:
IRFR3704ZCPBF
仓库库存编号:
IRFR3704ZCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 38A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3518-701PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910CPBF
仓库库存编号:
IRFR3910CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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