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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB G
  仓库库存编号：IPB05N03LBGINCT-ND
  别名：IPB05N03LBG
  IPB05N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB070N06L G
  仓库库存编号：IPB070N06LGINCT-ND
  别名：IPB070N06LG
  IPB070N06LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB085N06L G
  仓库库存编号：IPB085N06LGINCT-ND
  别名：IPB085N06LG
  IPB085N06LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3-04
  仓库库存编号：IPB100N06S3-04INCT-ND
  别名：IPB100N06S3-04INCT
  IPB100N06S304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3L-04
  仓库库存编号：IPB100N06S3L-04INCT-ND
  别名：IPB100N06S3L-04INCT
  IPB100N06S3L04
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 78A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB110N06L G
  仓库库存编号：IPB110N06LGINCT-ND
  别名：IPB110N06LG
  IPB110N06LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N06N G
  仓库库存编号：IPB120N06NGINCT-ND
  别名：IPB120N06NG
  IPB120N06NGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB G
  仓库库存编号：IPB13N03LBGINCT-ND
  别名：IPB13N03LBG
  IPB13N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S3-16
  仓库库存编号：IPB45N06S3-16INCT-ND
  别名：IPB45N06S3-16INCT
  IPB45N06S316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S3L-13
  仓库库存编号：IPB45N06S3L-13INCT-ND
  别名：IPB45N06S3L-13INCT
  IPB45N06S3L13
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPB80N06S3L-05INCT-ND
  别名：IPB80N06S3L-05INCT
  IPB80N06S3L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3L-06
  仓库库存编号：IPB80N06S3L-06INCT-ND
  别名：IPB80N06S3L-06INCT
  IPB80N06S3L06
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA G
  仓库库存编号：IPBH6N03LAGINCT-ND
  别名：IPBH6N03LAG
  IPBH6N03LAGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12N03LB G
  仓库库存编号：IPD12N03LBGINCT-ND
  别名：IPD12N03LBG
  IPD12N03LBGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD144N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD144N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD144N06NG
  IPD144N06NGINCT
  IPD144N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD640N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD640N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD640N06LGINCT
  IPD640N06LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD800N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD800N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD800N06NG
  IPD800N06NGINCT
  IPD800N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L G
  仓库库存编号：SPB80N10LGINCT-ND
  别名：SPB80N10LG
  SPB80N10LGINCT
  
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  MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20
  仓库库存编号：SPD07N20INCT-ND
  别名：SPD07N20INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGINCT-ND
  别名：SPD08P06PGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.6A（Tc） 80W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD18P06P
  仓库库存编号：SPD18P06PINCT-ND
  别名：SPD18P06PINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3307ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL3307ZPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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