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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016252
  SPB80N03S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200142
  SPB80N03S2L03GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04-ND
  别名：SP000013901
  SPB80N03S2L04T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-04 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-04 G-ND
  别名：SP000200143
  SPB80N03S2L04GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-05 G-ND
  别名：SP000200144
  SPB80N03S2L05GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-06 G-ND
  别名：SP000200145
  SPB80N03S2L06GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-04
  仓库库存编号：SPB80N04S2-04-ND
  别名：SP000016353
  SPB80N04S204T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2-H4
  仓库库存编号：SPB80N04S2-H4-ND
  别名：SP000016358
  SPB80N04S2H4T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N04S2L-03-ND
  别名：SP000016354
  SPB80N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S08ATMA1
  仓库库存编号：SPB80N06S08ATMA1TR-ND
  别名：SP000054056
  SP000084808
  SPB80N06S-08
  SPB80N06S-08-ND
  SPB80N06S08
  SPB80N06S08T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2-05-ND
  别名：SP000016351
  SPB80N06S205T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2-07-ND
  别名：SP000013578
  SPB80N06S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-08
  仓库库存编号：SPB80N06S2-08-ND
  别名：SP000016356
  SPB80N06S208T
  
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2-09-ND
  别名：SP000013581
  SPB80N06S209T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2-H5-ND
  别名：SP000013795
  SPB80N06S2H5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016352
  SPB80N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013577
  SPB80N06S2L06T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-07-ND
  别名：SP000016357
  SPB80N06S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013582
  SPB80N06S2L09T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013586
  SPB80N06S2L11T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000013796
  SPB80N06S2LH5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N08S2-07
  仓库库存编号：SPB80N08S2-07-ND
  别名：SP000016355
  SPB80N08S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N08S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N08S2L-07-ND
  别名：SP000016359
  SPB80N08S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L
  仓库库存编号：SPB80N10L-ND
  别名：SP000014350
  SPB80N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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