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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPUH6N03LB G
  仓库库存编号：IPUH6N03LB G-ND
  别名：IPUH6N03LBGX
  SP000209114
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB08P06P
  仓库库存编号：SPB08P06P-ND
  别名：SP000012508
  SPB08P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2-03 G-ND
  别名：SP000200140
  SPB100N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03 G
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-03 G-ND
  别名：SP000200141
  SPB100N03S2L03GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N04S2-04
  仓库库存编号：SPB100N04S2-04-ND
  别名：SP000013711
  SPB100N04S204T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N04S2L-03
  仓库库存编号：SPB100N04S2L-03-ND
  别名：SP000013712
  SPB100N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N06S2-05
  仓库库存编号：SPB100N06S2-05-ND
  别名：SP000013713
  SPB100N06S205T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013714
  SPB100N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N08S2-07
  仓库库存编号：SPB100N08S2-07-ND
  别名：SP000013715
  SPB100N08S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N08S2L-07
  仓库库存编号：SPB100N08S2L-07-ND
  别名：SP000013716
  SPB100N08S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10
  仓库库存编号：SPB10N10-ND
  别名：SP000013845
  SPB10N10T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10 G
  仓库库存编号：SPB10N10 G-ND
  别名：SP000102168
  SPB10N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L
  仓库库存编号：SPB10N10L-ND
  别名：SP000013836
  SPB10N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：SPB160N04S203CTMA1
  仓库库存编号：SPB160N04S203CTMA1TR-ND
  别名：SP000014263
  SPB160N04S2-03
  SPB160N04S2-03-ND
  SPB160N04S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：SPB160N04S2L03DTMA1
  仓库库存编号：SPB160N04S2L03DTMA1TR-ND
  别名：SP000014639
  SPB160N04S2L-03
  SPB160N04S2L-03-ND
  SPB160N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO263-3
  
  型号：SPB18P06P
  仓库库存编号：SPB18P06P-ND
  别名：SP000012329
  SPB18P06PT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10 G
  仓库库存编号：SPB21N10 G-ND
  别名：SP000102171
  SPB21N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10 G
  仓库库存编号：SPB35N10 G-ND
  别名：SP000102172
  SPB35N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L-13 G
  仓库库存编号：SPB42N03S2L-13 G-ND
  别名：SP000200137
  SPB42N03S2L13GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10
  仓库库存编号：SPB47N10-ND
  别名：SP000012327
  SPB47N10T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10L
  仓库库存编号：SPB47N10L-ND
  别名：SP000012078
  SPB47N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB70N10L
  仓库库存编号：SPB70N10L-ND
  别名：SP000012079
  SPB70N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08 G
  仓库库存编号：SPB73N03S2L-08 G-ND
  别名：SP000200138
  SPB73N03S2L08GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB77N06S2-12
  仓库库存编号：SPB77N06S2-12-ND
  别名：SP000013587
  SPB77N06S212T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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