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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4068D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4068D-EPBF-ND
  别名：IRGP4068DEPBF
  SP001542408
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 1200V 90A 385W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG7PH42UPBF
  仓库库存编号：IRG7PH42UPBF-ND
  别名：SP001542060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 650W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
  
  型号：IRFBA90N20DPBF
  仓库库存编号：IRFBA90N20DPBF-ND
  别名：*IRFBA90N20DPBF
  SP001551776
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4137PBF
  仓库库存编号：IRFP4137PBF-ND
  别名：SP001571068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 96A 330W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 96A 330W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4068DPBF
  仓库库存编号：IRGP4068DPBF-ND
  别名：63-6030PBF
  63-6030PBF-ND
  SP001535818
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 76A 268W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4650D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4650D-EPBF-ND
  别名：IRGP4650DEPBF
  SP001535810
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA170N06
  仓库库存编号：FQA170N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 107A 366W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GN60BDQ2G
  仓库库存编号：APT50GN60BDQ2G-ND
  别名：APT50GN60BDQ2GMI
  APT50GN60BDQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80V60DF
  仓库库存编号：497-14563-5-ND
  别名：497-14563-5
  STGWT80V60DF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW40S120DF3
  仓库库存编号：497-15629-5-ND
  别名：497-15629-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT80V60F
  仓库库存编号：497-15142-5-ND
  别名：497-15142-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3
  
  型号：JANTX2N6058
  仓库库存编号：1088-1025-ND
  别名：1088-1025
  1088-1025-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 30A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：GHXS030A120S-D1
  仓库库存编号：1560-1006-5-ND
  别名：1560-1006
  1560-1006-ND
  GHXS030A120SD1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 47V, 1000MW, %, DO
  详细描述：Zener Diode 47V 1.25W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
  
  型号：1SMA4756 R3G
  仓库库存编号：1SMA4756 R3GTR-ND
  别名：1SMA4756 R3GTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 47V, 1000MW, %, DO
  详细描述：Zener Diode 47V 1.25W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
  
  型号：1SMA4756 R3G
  仓库库存编号：1SMA4756 R3GCT-ND
  别名：1SMA4756 R3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 47V, 1000MW, %, DO
  详细描述：Zener Diode 47V 1.25W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
  
  型号：1SMA4756 R3G
  仓库库存编号：1SMA4756 R3GDKR-ND
  别名：1SMA4756 R3GDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Surface Mount
  
  型号：CD-MBL106S
  仓库库存编号：CD-MBL106SCT-ND
  别名：CD-MBL106SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 20V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6
  
  型号：SQ1912EH-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ1912EH-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ1912EH-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2303ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2303ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2303ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 31W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M67-60EX
  仓库库存编号：1727-2564-1-ND
  别名：1727-2564-1
  568-13008-1
  568-13008-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 34W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN9R5-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5910-1-ND
  别名：1727-5910-1
  568-7593-1
  568-7593-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2351ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2351ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 19A（Tc） 31W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M45-40EX
  仓库库存编号：1727-2563-1-ND
  别名：1727-2563-1
  568-13007-1
  568-13007-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M42-60EX
  仓库库存编号：1727-2581-1-ND
  别名：1727-2581-1
  568-13025-1
  568-13025-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 51A（Tj） 34W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R5-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1795-1-ND
  别名：1727-1795-1
  568-11378-1
  568-11378-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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