以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB03N03LA
  仓库库存编号：IPB03N03LA-ND
  别名：IPB03N03LAT
  SP000014034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB03N03LB
  仓库库存编号：IPB03N03LB-ND
  别名：IPB03N03LBT
  SP000074722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB
  仓库库存编号：IPB04N03LB-ND
  别名：IPB04N03LBT
  SP000064219
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB G
  仓库库存编号：IPB04N03LB G-ND
  别名：IPB04N03LBGXT
  SP000103301
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LA G
  仓库库存编号：IPB05N03LA G-ND
  别名：IPB05N03LAGXT
  SP000068872
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB
  仓库库存编号：IPB05N03LB-ND
  别名：IPB05N03LBT
  SP000065206
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB065N06L G
  仓库库存编号：IPB065N06L G-ND
  别名：IPB063N06LGXT
  IPB065N06LGXT
  SP000204183
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LA G
  仓库库存编号：IPB06N03LA G-ND
  别名：IPB06N03LAGXT
  SP000068850
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB06N03LB
  仓库库存编号：IPB06N03LB-ND
  别名：IPB06N03LBT
  SP000065274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB06N03LB G
  仓库库存编号：IPB06N03LB G-ND
  别名：IPB06N03LBGXT
  SP000103304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LA G
  仓库库存编号：IPB09N03LA G-ND
  别名：IPB09N03LAGXT
  SP000068859
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3-03
  仓库库存编号：IPB100N06S3-03-ND
  别名：IPB100N06S303XT
  SP000087982
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB10N03LB
  仓库库存编号：IPB10N03LB-ND
  别名：IPB10N03LBT
  SP000064220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB10N03LB G
  仓库库存编号：IPB10N03LB G-ND
  别名：IPB10N03LBGXT
  SP000103305
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA
  仓库库存编号：IPB11N03LA-ND
  别名：IPB11N03LAT
  SP000014987
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA G
  仓库库存编号：IPB11N03LA G-ND
  别名：IPB11N03LAGXT
  SP000103306
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB
  仓库库存编号：IPB13N03LB-ND
  别名：IPB13N03LBT
  SP000064218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA G
  仓库库存编号：IPB14N03LA G-ND
  别名：IPB14N03LAGXT
  SP000085264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 48W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB25N06S3-25
  仓库库存编号：IPB25N06S3-25-ND
  别名：IPB25N06S325XT
  SP000088000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPB25N06S3L-22-ND
  别名：IPB25N06S3L22XT
  SP000087994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB77N06S3-09
  仓库库存编号：IPB77N06S3-09-ND
  别名：IPB77N06S309XT
  SP000088715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3-07
  仓库库存编号：IPB80N06S3-07-ND
  别名：IPB80N06S307XT
  SP000088065
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPBH6N03LA
  仓库库存编号：IPBH6N03LA-ND
  别名：IPBH6N03LAT
  SP000068587
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LB G
  仓库库存编号：IPD05N03LB G-ND
  别名：IPD05N03LBGXT
  SP000016410
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LB G
  仓库库存编号：IPD09N03LB G-ND
  别名：IPD09N03LBGXT
  SP000016412
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索