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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD5N03LAG
  仓库库存编号：IPD5N03LAGINCT-ND
  别名：IPD5N03LAGINCT
  IPDH5N03LAGINCT
  IPDH5N03LAGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LAT
  仓库库存编号：IPB09N03LAT-ND
  别名：SP000016271
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LAT
  仓库库存编号：IPB14N03LAT-ND
  别名：SP000016324
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L03T
  仓库库存编号：SPB100N03S2L03T-ND
  别名：SP000013460
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10T
  仓库库存编号：SPB21N10T-ND
  别名：SP000013626
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10T
  仓库库存编号：SPB35N10T-ND
  别名：SP000013627
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB42N03S2L13T
  仓库库存编号：SPB42N03S2L13T-ND
  别名：SP000016256
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L08T
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08T-ND
  别名：SP000016257
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L05T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05T-ND
  别名：SP000016255
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L06T
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06T-ND
  别名：SP000016264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L04T
  仓库库存编号：SPD100N03S2L04T-ND
  别名：SP000013966
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L07T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07T-ND
  别名：SP000013749
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10T-ND
  别名：SP000016254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L03-ND
  别名：SP000013491
  SPI100N03S2L03X
  SPI100N03S2L03X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S203
  仓库库存编号：SPP100N03S203-ND
  别名：SP000013463
  SPP100N03S203X
  SPP100N03S203X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2L03
  仓库库存编号：SPP100N03S2L03-ND
  别名：SP000013462
  SPP100N03S2L03X
  SPP100N03S2L03X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP42N03S2L13
  仓库库存编号：SPP42N03S2L-13TIN-ND
  别名：SP000013464
  SPP42N03S2L-13XTIN
  SPP42N03S2L-13XTIN-ND
  SPP42N03S2L13X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LAT
  仓库库存编号：IPB05N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB05N03LAXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LAT
  仓库库存编号：IPB06N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB06N03LAXTINCT
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7505-30A,127
  仓库库存编号：BUK7505-30A,127-ND
  别名：934055405127
  BUK7505-30A
  BUK7505-30A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7511-55A,127
  仓库库存编号：BUK7511-55A,127-ND
  别名：934055877127
  BUK7511-55A
  BUK7511-55A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 73A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7514-55A,127
  仓库库存编号：568-9813-5-ND
  别名：568-9813-5
  934055646127
  BUK7514-55A
  BUK7514-55A,127-ND
  BUK7514-55A-ND
  BUK751455A127
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 40A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7528-55,127
  仓库库存编号：BUK7528-55,127-ND
  别名：934050370127
  BUK7528-55
  BUK7528-55-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 37A（Tc） 138W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7540-100A,127
  仓库库存编号：568-9794-5-ND
  别名：568-9794-5
  934056026127
  BUK7540-100A
  BUK7540-100A,127-ND
  BUK7540-100A-ND
  BUK7540100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 19.7A（Tc） 61W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7575-55,127
  仓库库存编号：BUK7575-55,127-ND
  别名：934050390127
  BUK7575-55
  BUK7575-55-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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