产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(10623)
二极管 - 桥式整流器
(80)
二极管 - 射频
(25)
二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
(9)
二极管 - 齐纳 - 单
(1881)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(26)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(273)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(7716)
晶体管 - IGBT - 模块
(17)
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
(577)
晶体管 - JFET
(19)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(338)
Bourns Inc.(25)
Comchip Technology(9)
Diodes Incorporated(135)
Fairchild/ON Semiconductor(1041)
GeneSiC Semiconductor(5)
Global Power Technologies Group(10)
Infineon Technologies(3085)
IXYS(555)
Littelfuse Inc.(15)
M/A-Com Technology Solutions(15)
Micro Commercial Co(37)
Microsemi Corporation(73)
Nexperia USA Inc.(712)
NXP USA Inc.(277)
ON Semiconductor(908)
Skyworks Solutions Inc.(17)
STMicroelectronics(653)
Taiwan Semiconductor Corporation(1846)
Texas Instruments(29)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Transphorm(9)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(819)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48ZS
仓库库存编号：
IRFZ48ZS-ND
别名：*IRFZ48ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZS
仓库库存编号：
IRF540ZS-ND
别名：*IRF540ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
型号：
IRF540ZL
仓库库存编号：
IRF540ZL-ND
别名：*IRF540ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262
型号：
IRF3709ZL
仓库库存编号：
IRF3709ZL-ND
别名：*IRF3709ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZS
仓库库存编号：
IRF3709ZS-ND
别名：*IRF3709ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF4104L
仓库库存编号：
IRF4104L-ND
别名：*IRF4104L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF4104S
仓库库存编号：
IRF4104S-ND
别名：*IRF4104S
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010ZL
仓库库存编号：
IRF1010ZL-ND
别名：*IRF1010ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010EZL
仓库库存编号：
IRF1010EZL-ND
别名：*IRF1010EZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010ZS
仓库库存编号：
IRF1010ZS-ND
别名：*IRF1010ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010EZS
仓库库存编号：
IRF1010EZS-ND
别名：*IRF1010EZS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP1405
仓库库存编号：
IRFP1405-ND
别名：*IRFP1405
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB30B60K
仓库库存编号：
IRGB30B60K-ND
别名：*IRGB30B60K
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
64-8016
仓库库存编号：
64-8016-ND
别名：*IRL1404Z
IRL1404Z
IRL1404Z-ND
SP001517156
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRL1404ZL
仓库库存编号：
IRL1404ZL-ND
别名：*IRL1404ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 35W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3714Z
仓库库存编号：
IRL3714Z-ND
别名：*IRL3714Z
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 35W（Tc） TO-262
型号：
IRL3714ZL
仓库库存编号：
IRL3714ZL-ND
别名：*IRL3714ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715Z
仓库库存编号：
IRL3715Z-ND
别名：*IRL3715Z
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZL
仓库库存编号：
IRL3715ZL-ND
别名：*IRL3715ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8113
仓库库存编号：
IRL8113-ND
别名：*IRL8113
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-262
型号：
IRL8113L
仓库库存编号：
IRL8113L-ND
别名：*IRL8113L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113S
仓库库存编号：
IRL8113S-ND
别名：*IRL8113S
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 37A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3714Z
仓库库存编号：
IRLU3714Z-ND
别名：*IRLU3714Z
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3705Z
仓库库存编号：
IRL3705Z-ND
别名：*IRL3705Z
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-262
型号：
IRL3705ZL
仓库库存编号：
IRL3705ZL-ND
别名：*IRL3705ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
搜索
368
369
370
371
372
373
374
375
376
377
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
