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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS30B60KTRRP
  仓库库存编号：IRGS30B60KTRRPCT-ND
  别名：IRGS30B60KTRRPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH290N4F6-2AG
  仓库库存编号：497-16509-1-ND
  别名：497-16509-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2204PBF
  仓库库存编号：IRF2204PBF-ND
  别名：*IRF2204PBF
  SP001576552
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805STRL-7PP
  仓库库存编号：IRF3805STRL-7PPCT-ND
  别名：IRF3805STRL-7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4615PBF
  仓库库存编号：IRFB4615PBF-ND
  别名：SP001565882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3307ZPBF
  仓库库存编号：IRFB3307ZPBF-ND
  别名：SP001564038
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3307PBF
  仓库库存编号：IRFB3307PBF-ND
  别名：*IRFB3307PBF
  SP001555972
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1405ZPBF
  仓库库存编号：IRF1405ZPBF-ND
  别名：*IRF1405ZPBF
  64-0097PBF
  64-0097PBF-ND
  SP001563230
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N06N3 G
  仓库库存编号：IPB017N06N3 GCT-ND
  别名：IPB017N06N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4410PBF
  仓库库存编号：IRFB4410PBF-ND
  别名：*IRFB4410PBF
  SP001556060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP170N8F7
  仓库库存编号：497-16008-5-ND
  别名：497-16008-5
  STP170N8F7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 24A 140W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench 600V 24A 140W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB4056DPBF
  仓库库存编号：IRGB4056DPBF-ND
  别名：SP001544890
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB017N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB017N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB017N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 142A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1607PBF
  仓库库存编号：IRF1607PBF-ND
  别名：*IRF1607PBF
  SP001553894
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4410ZPBF
  仓库库存编号：IRFSL4410ZPBF-ND
  别名：SP001557638
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3703PBF
  仓库库存编号：IRF3703PBF-ND
  别名：*IRF3703PBF
  SP001574662
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRLS4030TRL7PP
  仓库库存编号：IRLS4030TRL7PPCT-ND
  别名：IRLS4030TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3415PBF
  仓库库存编号：IRFP3415PBF-ND
  别名：*IRFP3415PBF
  SP001566972
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 40A 167W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW20H60DF
  仓库库存编号：497-13958-5-ND
  别名：497-13958-5
  STGW20H60DF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3006GPBF
  仓库库存编号：IRFB3006GPBF-ND
  别名：SP001577692
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48PBF
  仓库库存编号：IRFZ48PBF-ND
  别名：*IRFZ48PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 71A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 71A（Tc） 46W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFI3306GPBF
  仓库库存编号：IRFI3306GPBF-ND
  别名：SP001556626
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP054N10
  仓库库存编号：FDP054N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF55-06-1
  仓库库存编号：497-16196-5-ND
  别名：497-16196-5
  STB80NF55-06-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 40A TO247
  详细描述：IGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-247
  
  型号：AOKS40B65H1
  仓库库存编号：785-1760-ND
  别名：785-1760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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