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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA
  仓库库存编号：IPB14N03LAINTR-ND
  别名：IPB14N03LAINTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LA G
  仓库库存编号：IPD04N03LAGINCT-ND
  别名：IPD04N03LAGINCT
  IPD04N03LAINCT
  IPD04N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LA G
  仓库库存编号：IPD05N03LAGINTR-ND
  别名：IPD05N03LA
  IPD05N03LAG
  IPD05N03LAGINTR
  IPD05N03LAGXT
  IPD05N03LAGXT-ND
  IPD05N03LAINTR
  IPD05N03LAINTR-ND
  SP000017599
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD06N03LA G
  仓库库存编号：IPD06N03LAGINCT-ND
  别名：IPD06N03LAGINCT
  IPD06N03LAGXTINCT
  IPD06N03LAGXTINCT-ND
  IPD06N03LAINCT
  IPD06N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LA G
  仓库库存编号：IPD09N03LAGINCT-ND
  别名：IPD09N03LAGINCT
  IPD09N03LAGXTINCT
  IPD09N03LAGXTINCT-ND
  IPD09N03LAINCT
  IPD09N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD13N03LA G
  仓库库存编号：IPD13N03LAGINCT-ND
  别名：IPD13N03LAG
  IPD13N03LAGINCT
  IPD13N03LAGXTINCT
  IPD13N03LAGXTINCT-ND
  IPD13N03LAINCT
  IPD13N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF05N03LA G
  仓库库存编号：IPF05N03LAGINCT-ND
  别名：IPF05N03LAG
  IPF05N03LAGINCT
  IPF05N03LAGXTINCT
  IPF05N03LAGXTINCT-ND
  IPF05N03LAINCT
  IPF05N03LAINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03
  仓库库存编号：SPB100N03S203INTR-ND
  别名：SPB100N03S203INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPB100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10
  仓库库存编号：SPB21N10INCT-ND
  别名：SPB21N10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10
  仓库库存编号：SPB35N10INTR-ND
  别名：SPB35N10INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD35N10
  仓库库存编号：SPD35N10INCT-ND
  别名：SPD35N10INCT
  SPD35N10XTINCT
  SPD35N10XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB73N03S2L-08
  仓库库存编号：SPB73N03S2L08INTR-ND
  别名：SPB73N03S2L08INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N03S2L05INTR-ND
  别名：SPB80N03S2L05INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N03S2L06INCT-ND
  别名：SPB80N03S2L06INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL
  仓库库存编号：SPD09P06PLINCT-ND
  别名：SPD09P06PLINCT
  SPD09P06PLXTINCT
  SPD09P06PLXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L-04
  仓库库存编号：SPD100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPD100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-07
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L07
  SPD30N03S2L07INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L10
  SPD30N03S2L10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-20
  仓库库存编号：SPD30N03S2L20INTR-ND
  别名：SP000013488
  SPD30N03S2L20INTR
  SPD30N03S2L20XT
  SPD30N03S2L20XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P
  仓库库存编号：SPD30P06PINCT-ND
  别名：SPD30P06PINCT
  SPD30P06PXTINCT
  SPD30P06PXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S2L-06
  仓库库存编号：SPD50N03S2L06INCT-ND
  别名：SPD50N03S2L06
  SPD50N03S2L06INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1405Z
  仓库库存编号：IRF1405Z-ND
  别名：*IRF1405Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1405ZL
  仓库库存编号：IRF1405ZL-ND
  别名：*IRF1405ZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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