产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRL
仓库库存编号:
IRL3714STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRR
仓库库存编号:
IRL3714STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715STRL
仓库库存编号:
IRL3715STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715STRR
仓库库存编号:
IRL3715STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRL
仓库库存编号:
IRLR3714TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714TRR
仓库库存编号:
IRLR3714TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TR
仓库库存编号:
IRLR3715TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRL
仓库库存编号:
IRLR3715TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3715TRR
仓库库存编号:
IRLR3715TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 580W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3810
仓库库存编号:
IRFPS3810-ND
别名:*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP08P06PBKSA1-ND
别名:SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833
仓库库存编号:
IRLU7833-ND
别名:*IRLU7833
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410
仓库库存编号:
IRFU3410-ND
别名:*IRFU3410
Q1434118
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 174A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1302S
仓库库存编号:
IRF1302S-ND
别名:*IRF1302S
Q1432949
SP001569922
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2804
仓库库存编号:
IRF2804-ND
别名:*IRF2804
SP001569996
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7821
仓库库存编号:
IRLU7821-ND
别名:*IRLU7821
Q1500049
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707Z
仓库库存编号:
IRFR3707Z-ND
别名:*IRFR3707Z
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TR
仓库库存编号:
IRLR7833TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRL
仓库库存编号:
IRLR7833TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRR
仓库库存编号:
IRLR7833TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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