产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3715
仓库库存编号:
IRL3715-ND
别名:*IRL3715
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714S
仓库库存编号:
IRL3714S-ND
别名:*IRL3714S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714L
仓库库存编号:
IRL3714L-ND
别名:*IRL3714L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) TO-262
型号:
IRL3715L
仓库库存编号:
IRL3715L-ND
别名:*IRL3715L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 54A(Tc) 3.8W(Ta),71W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3715S
仓库库存编号:
IRL3715S-ND
别名:*IRL3715S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7103Q
仓库库存编号:
IRF7103Q-ND
别名:*IRF7103Q
SP001516968
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708
仓库库存编号:
IRFR3708-ND
别名:*IRFR3708
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2407
仓库库存编号:
IRFU2407-ND
别名:*IRFU2407
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 72A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48VS
仓库库存编号:
IRFZ48VS-ND
别名:*IRFZ48VS
SP001557876
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NL
仓库库存编号:
IRF630NL-ND
别名:*IRF630NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707
仓库库存编号:
IRFR3707-ND
别名:*IRFR3707
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3704
仓库库存编号:
IRFU3704-ND
别名:*IRFU3704
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 142A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1607
仓库库存编号:
IRF1607-ND
别名:*IRF1607
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25D
仓库库存编号:
IRFR12N25D-ND
别名:*IRFR12N25D
SP001572818
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU12N25D
仓库库存编号:
IRFU12N25D-ND
别名:*IRFU12N25D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1404S
仓库库存编号:
IRL1404S-ND
别名:*IRL1404S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3704
仓库库存编号:
IRFR3704-ND
别名:*IRFR3704
SP001571518
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1404L
仓库库存编号:
IRL1404L-ND
别名:*IRL1404L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1407L
仓库库存编号:
IRF1407L-ND
别名:*IRF1407L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407S
仓库库存编号:
IRF1407S-ND
别名:*IRF1407S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407STRR
仓库库存编号:
IRF1407STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRR
仓库库存编号:
IRF630NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRR-ND
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