产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRR
仓库库存编号:
IRL2703STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 55A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2910STRL
仓库库存编号:
IRL2910STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103STRR
仓库库存编号:
IRL3103STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3303D1
仓库库存编号:
IRL3303D1-ND
别名:*IRL3303D1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1S
仓库库存编号:
IRL3303D1S-ND
别名:*IRL3303D1S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303D1STRL
仓库库存编号:
IRL3303D1STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRL
仓库库存编号:
IRL3303STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3303STRR
仓库库存编号:
IRL3303STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRR
仓库库存编号:
IRL3705NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRR
仓库库存编号:
IRL3803STRR-ND
别名:SP001550338
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRL520NSTRR
仓库库存编号:
IRL520NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRL
仓库库存编号:
IRL5602STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 24A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
IRL5602STRR
仓库库存编号:
IRL5602STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2910
仓库库存编号:
IRLI2910-ND
别名:*IRLI2910
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRL
仓库库存编号:
IRLR014NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTR
仓库库存编号:
IRLR014NTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRR
仓库库存编号:
IRLR014NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024NTRL
仓库库存编号:
IRLR024NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024NTRR
仓库库存编号:
IRLR024NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR120NTRR
仓库库存编号:
IRLR120NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRL
仓库库存编号:
IRLR2703TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRR
仓库库存编号:
IRLR2703TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRL
仓库库存编号:
IRLR2705TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TR
仓库库存编号:
IRLR2705TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRL
仓库库存编号:
IRLR2905TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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