产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRL
仓库库存编号:
IRFR4105TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TR
仓库库存编号:
IRFR4105TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRR
仓库库存编号:
IRFR4105TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRL
仓库库存编号:
IRFR5305TRL-ND
别名:SP001557064
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRR
仓库库存编号:
IRFR5305TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRL
仓库库存编号:
IRFR6215TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TR
仓库库存编号:
IRFR6215TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRR
仓库库存编号:
IRFR6215TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) TO-262
型号:
IRFSL41N15D
仓库库存编号:
IRFSL41N15D-ND
别名:*IRFSL41N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRL
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRL-ND
别名:SP001552444
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRL
仓库库存编号:
IRL1004STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRR
仓库库存编号:
IRL1004STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRL
仓库库存编号:
IRL1104STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 104A(Tc) 2.4W(Ta),167W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1104STRR
仓库库存编号:
IRL1104STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203NSTRR
仓库库存编号:
IRL2203NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRL
仓库库存编号:
IRL2505STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRR
仓库库存编号:
IRL2505STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2703STRL
仓库库存编号:
IRL2703STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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