产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB33N15D
仓库库存编号:
IRFB33N15D-ND
别名:*IRFB33N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15D
仓库库存编号:
IRFB41N15D-ND
别名:*IRFB41N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104
仓库库存编号:
IRL1104-ND
别名:*IRL1104
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EL
仓库库存编号:
IRF1010EL-ND
别名:*IRF1010EL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010NL
仓库库存编号:
IRF1010NL-ND
别名:*IRF1010NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 3.8W(Ta),160W(Tc) TO-262
型号:
IRF1310NL
仓库库存编号:
IRF1310NL-ND
别名:*IRF1310NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 162A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1404L
仓库库存编号:
IRF1404L-ND
别名:*IRF1404L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807L
仓库库存编号:
IRF2807L-ND
别名:*IRF2807L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205L
仓库库存编号:
IRF3205L-ND
别名:*IRF3205L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 21A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRF3315L
仓库库存编号:
IRF3315L-ND
别名:*IRF3315L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3415L
仓库库存编号:
IRF3415L-ND
别名:*IRF3415L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3515L
仓库库存编号:
IRF3515L-ND
别名:*IRF3515L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3704L
仓库库存编号:
IRF3704L-ND
别名:*IRF3704L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 77A(Tc) 88W(Tc) TO-262
型号:
IRF3706L
仓库库存编号:
IRF3706L-ND
别名:*IRF3706L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 57A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710L
仓库库存编号:
IRF3710L-ND
别名:*IRF3710L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) TO-262
型号:
IRF530NL
仓库库存编号:
IRF530NL-ND
别名:*IRF530NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRF540NL
仓库库存编号:
IRF540NL-ND
别名:*IRF540NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NL
仓库库存编号:
IRF640NL-ND
别名:*IRF640NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15D
仓库库存编号:
IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
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MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL33N15D
仓库库存编号:
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL59N10D
仓库库存编号:
IRFSL59N10D-ND
别名:*IRFSL59N10D
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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