产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 57A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710STRR
仓库库存编号:
IRF3710STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
94-4582
仓库库存编号:
94-4582-ND
别名:*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
SP001520922
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NS
仓库库存编号:
IRF530NS-ND
别名:*IRF530NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215S
仓库库存编号:
IRF6215S-ND
别名:*IRF6215S
SP001551138
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6215STRR
仓库库存编号:
IRF6215STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
64-0007
仓库库存编号:
64-0007-ND
别名:*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NS
仓库库存编号:
IRF9520NS-ND
别名:*IRF9520NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NS
仓库库存编号:
IRF9530NS-ND
别名:*IRF9530NS
SP001555896
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP9140N
仓库库存编号:
IRFP9140N-ND
别名:*IRFP9140N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRL
仓库库存编号:
IRFR3910TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9120N
仓库库存编号:
IRFU9120N-ND
别名:*IRFU9120N
SP001573590
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44NL
仓库库存编号:
IRFZ44NL-ND
别名:*IRFZ44NL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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