产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 10V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 10V 1W ±6% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C10P RUG
仓库库存编号:
BZD27C10P RUG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 10V, 1000MW, %, SU
详细描述:Zener Diode 10V 1W ±6% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C10P RVG
仓库库存编号:
BZD27C10P RVG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 6.8V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 6.8V 1W ±5.88% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C6V8P RUG
仓库库存编号:
BZD27C6V8P RUG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 7.5V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 7.45V 1W ±6.04% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C7V5P RUG
仓库库存编号:
BZD27C7V5P RUG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 8.2V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 8.2V 1W ±6.09% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C8V2P RUG
仓库库存编号:
BZD27C8V2P RUG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 9.1V, 1000MW, %, S
详细描述:Zener Diode 9.05V 1W ±6.07% Surface Mount Sub SMA
型号:
BZD27C9V1P RUG
仓库库存编号:
BZD27C9V1P RUG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 13.5A 1.2W 8-SO
型号:
FDS4465_SN00187
仓库库存编号:
FDS4465_SN00187-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
94-2304
仓库库存编号:
94-2304-ND
别名:*IRL2203N
IRL2203N
IRL2203N-ND
SP001521934
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803
仓库库存编号:
IRL3803-ND
别名:*IRL3803
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 81A(Tc) 170W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP054N
仓库库存编号:
IRFP054N-ND
别名:*IRFP054N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205
仓库库存编号:
IRFR1205-ND
别名:*IRFR1205
SP001578028
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4762
仓库库存编号:
94-4762-ND
别名:*IRFR4105
IRFR4105
IRFR4105-ND
SP001516332
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
94-2310
仓库库存编号:
94-2310-ND
别名:*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 27A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3315
仓库库存编号:
IRF3315-ND
别名:*IRF3315
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 24A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1310N
仓库库存编号:
IRFI1310N-ND
别名:*IRFI1310N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530N
仓库库存编号:
IRFI530N-ND
别名:*IRFI530N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24E
仓库库存编号:
IRFIZ24E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34E
仓库库存编号:
IRFIZ34E-ND
别名:*IRFIZ34E
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46N
仓库库存编号:
IRFIZ46N-ND
别名:*IRFIZ46N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 36A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48N
仓库库存编号:
IRFIZ48N-ND
别名:*IRFIZ48N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34E
仓库库存编号:
IRFZ34E-ND
别名:*IRFZ34E
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44E
仓库库存编号:
IRFZ44E-ND
别名:*IRFZ44E
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