以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 24A（Tc） 25W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN023-40YLCX
  仓库库存编号：568-10157-1-ND
  别名：568-10157-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R4-30E,118
  仓库库存编号：568-10169-1-ND
  别名：568-10169-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R5-30E,118
  仓库库存编号：568-10172-1-ND
  别名：568-10172-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 650V 290A 940W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK160N65C4
  仓库库存编号：IXXK160N65C4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 650V 290A 940W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX160N65C4
  仓库库存编号：IXXX160N65C4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD474A
  仓库库存编号：AOD474A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），11A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD498
  仓库库存编号：AOD498-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 17A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI514
  仓库库存编号：785-1690-5-ND
  别名：785-1690-5
  AOI514-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R7-40E,118
  仓库库存编号：568-10248-1-ND
  别名：568-10248-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK962R1-40E,118
  仓库库存编号：568-10249-1-ND
  别名：568-10249-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Bourns Inc.
  DIODE BRIDGE RECTIFIER
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount 2320
  
  型号：CD2320-B1600
  仓库库存编号：CD2320-B1600CT-ND
  别名：CD2320-B1600CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1.2KV SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 45A Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT30DF120HJ
  仓库库存编号：APT30DF120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 600V SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 30A Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT30DL60HJ
  仓库库存编号：APT30DL60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 600V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT50DL60HJ
  仓库库存编号：APT50DL60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD BRIDGE RECT 10A 400V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole VJ
  
  型号：VJ448M
  仓库库存编号：VJ448M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 1000V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DF100HJ
  仓库库存编号：APT60DF100HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 1200V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 90A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT60DF120HJ
  仓库库存编号：APT60DF120HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 600V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 75A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT75DL60HJ
  仓库库存编号：APT75DL60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY12N06TTRL
  仓库库存编号：IXTY12N06TTRLCT-ND
  别名：IXTY12N06TTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE PWR MOD BRIDGE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 10A Through Hole VJ
  
  型号：VJ848M
  仓库库存编号：VJ848M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132_F085
  仓库库存编号：FDB8132_F085CT-ND
  别名：FDB8132_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A
  仓库库存编号：2N4117A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A-2
  仓库库存编号：2N4117A-2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4117A-E3
  仓库库存编号：2N4117A-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
  详细描述：JFET N-Channel 40V 300mW Through Hole TO-206AF (TO-72)
  
  型号：2N4118A
  仓库库存编号：2N4118A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索