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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 21A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 21A（Ta），83A（Tc） 2.1W（Ta），33.3W（Tc）
  
  型号：AOWF240
  仓库库存编号：AOWF240-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 341W（Tc） TO-263AB
  
  型号：FDB8132
  仓库库存编号：FDB8132-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8160
  仓库库存编号：FDB8160-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
  
  型号：FDI045N10A
  仓库库存编号：FDI045N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 246W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP027N08B
  仓库库存编号：FDP027N08B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP045N10A
  仓库库存编号：FDP045N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 130A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP075N15A
  仓库库存编号：FDP075N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A
  仓库库存编号：FDP083N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP085N10A
  仓库库存编号：FDP085N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 91W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP150N10A
  仓库库存编号：FDP150N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5500
  仓库库存编号：FDP5500-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4979NT4G
  仓库库存编号：NTD4979NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 220A（Tc） 283W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5860NLG
  仓库库存编号：NTP5860NLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N06-5M0P-E3
  仓库库存编号：SUP90N06-5M0P-E3-ND
  别名：SUP90N06-5M0P-E3CT
  SUP90N06-5M0P-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 17A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD17N25-165-E3
  仓库库存编号：SUD17N25-165-E3CT-ND
  别名：SUD17N25-165-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ44STRRPBFCT-ND
  别名：IRFZ44STRRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N03-04P-E3
  仓库库存编号：SUM110N03-04P-E3CT-ND
  别名：SUM110N03-04P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK653R3-30C,127
  仓库库存编号：BUK653R3-30C,127-ND
  别名：934065858127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R3-30E,118
  仓库库存编号：568-9564-1-ND
  别名：568-9564-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R4-30E,118
  仓库库存编号：568-9568-1-ND
  别名：568-9568-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4806NT4G
  仓库库存编号：NTD4806NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4806NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4906NT4G
  仓库库存编号：NTD4906NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4906NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 390V 20A 125W DPAK
  详细描述：IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
  
  型号：NGD8205NT4G
  仓库库存编号：NGD8205NT4GOSCT-ND
  别名：NGD8205NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTD2955PT4G
  仓库库存编号：NTD2955PT4GOSCT-ND
  别名：NTD2955PT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta），35A（Tc） 1.26W（Ta），32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4815NT4G
  仓库库存编号：NVD4815NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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