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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP400N4F6
  仓库库存编号：497-13973-5-ND
  别名：497-13973-5
  STP400N4F6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 40A 1200V TO-247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 80A 535W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB40N120SWG
  仓库库存编号：NGTB40N120SWGOS-ND
  别名：NGTB40N120SWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 93A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4768PBF
  仓库库存编号：IRFP4768PBF-ND
  别名：SP001571028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 312W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP190N55LF3
  仓库库存编号：497-8810-5-ND
  别名：497-8810-5
  STP190N55LF3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 160A 625W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH80N65B4
  仓库库存编号：IXXH80N65B4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW80V60DF
  仓库库存编号：497-14058-5-ND
  别名：497-14058-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 515W（Tc） TO-247
  
  型号：HUF75652G3
  仓库库存编号：HUF75652G3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247
  详细描述：IGBT 900V 140A 750W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH60N90C3
  仓库库存编号：IXYH60N90C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 80V 180A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
  
  型号：STP270N8F7
  仓库库存编号：497-13654-5-ND
  别名：497-13654-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4368PBF
  仓库库存编号：IRFP4368PBF-ND
  别名：SP001556774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 200A 830W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 200A 830W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH100N65C3
  仓库库存编号：IXYH100N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS3810PBF
  仓库库存编号：IRFPS3810PBF-ND
  别名：*IRFPS3810PBF
  SP001566934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 100A 535W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 535W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB50N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB50N120FL2WGOS-ND
  别名：NGTB50N120FL2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A HS TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H120DF2
  仓库库存编号：497-14715-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 310A 940W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX160N65B4
  仓库库存编号：IXXX160N65B4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 283A 682W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT200GN60J
  仓库库存编号：APT200GN60J-ND
  别名：APT200GN60JMI
  APT200GN60JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S4L-14CT
  IPD30N03S4L-14CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 81A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8256TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8256TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8256TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70N03S4L-04
  仓库库存编号：IPD70N03S4L-04CT-ND
  别名：IPD70N03S4L-04CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8878
  仓库库存编号：FDD8878CT-ND
  别名：FDD8878CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08P06PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD08P06PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD08P06PGBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 65W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8721TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8721TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8721TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8259TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8259TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8259TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 10A 83W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD5H60DF
  仓库库存编号：497-16479-1-ND
  别名：497-16479-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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