以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4810NT4G
  仓库库存编号：NTD4810NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4810NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta），35A（Tc） 1.26W（Ta），32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4815NHT4G
  仓库库存编号：NTD4815NHT4GOSCT-ND
  别名：NTD4815NHT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD60N02RT4G
  仓库库存编号：NTD60N02RT4GOSCT-ND
  别名：NTD60N02RT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 10A（Ta），32A（Tc） 1.36W（Ta），62.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD70N03RT4G
  仓库库存编号：NTD70N03RT4GOSCT-ND
  别名：NTD70N03RT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD78N03T4G
  仓库库存编号：NTD78N03T4GOSCT-ND
  别名：NTD78N03T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 420V 30A 150W TO220
  详细描述：IGBT 420V 30A 150W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP18N40LZ
  仓库库存编号：497-12597-5-ND
  别名：497-12597-5
  STGP18N40LZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK210N17T
  仓库库存编号：IXFK210N17T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 210A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX210N17T
  仓库库存编号：IXFX210N17T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 170V 245A（Tc） 1090W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN260N17T
  仓库库存编号：IXFN260N17T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK260N17T
  仓库库存编号：IXFK260N17T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 170V 260A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX260N17T
  仓库库存编号：IXFX260N17T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 400V 35A MB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal MB-35
  
  型号：MB354-BP
  仓库库存编号：MB354-BP-ND
  别名：Q4590101A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI040N06
  仓库库存编号：FDI040N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP040N06
  仓库库存编号：FDP040N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB039N06
  仓库库存编号：FDB039N06CT-ND
  别名：FDB039N06CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 345V 40A 176W D2PAK
  详细描述：IGBT 345V 40A 176W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB35N35LZT4
  仓库库存编号：497-10120-1-ND
  别名：497-10120-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH ISOPLUS-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 36A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC62N15P
  仓库库存编号：IXTC62N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4905NT4G
  仓库库存编号：NTD4905NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 9.2A（Ta），49A（Tc） 1.27W（Ta），36.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4863NA-35G
  仓库库存编号：NTD4863NA-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-35G
  仓库库存编号：NTD4906N-35GOS-ND
  别名：NTD4906N-35G-ND
  NTD4906N-35GOS
  NTD4906N35G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-1G
  仓库库存编号：NTD4906N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-35G
  仓库库存编号：NTD4909N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-1G
  仓库库存编号：NTD4909N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4905N-1G
  仓库库存编号：NTD4905N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4904N-35G
  仓库库存编号：NTD4904N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索