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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N12N3 G
  仓库库存编号：IPP048N12N3 G-ND
  别名：IPP048N12N3G
  IPP048N12N3GXKSA1
  SP000652734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3703PBF
  仓库库存编号：IRFP3703PBF-ND
  别名：*IRFP3703PBF
  SP001556744
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N10T
  仓库库存编号：IXTH160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3004PBF
  仓库库存编号：IRFB3004PBF-ND
  别名：SP001572420
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 48A 250W TO220AB
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB4062DPBF
  仓库库存编号：IRGB4062DPBF-ND
  别名：SP001544880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA032N08
  仓库库存编号：FDA032N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19506KCS
  仓库库存编号：296-37169-5-ND
  别名：296-37169-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 48A 250W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench 600V 48A 250W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4062DPBF
  仓库库存编号：IRGS4062DPBF-ND
  别名：SP001535940
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N10T
  仓库库存编号：IXTQ180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH180N10T
  仓库库存编号：IXTH180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805S-7PPBF
  仓库库存编号：IRF3805S-7PPBF-ND
  别名：64-2095PBF
  64-2095PBF-ND
  IRF3805S7PPBF
  SP001553992
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRFS8409-7P
  仓库库存编号：IRAUIRFS8409-7P-ND
  别名：IRAUIRFS8409-7P
  SP001522376
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRLP3034PBF
  仓库库存编号：IRLP3034PBF-ND
  别名：SP001574042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta），180A（Tc） 3.1W（Ta），500W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK2500L
  仓库库存编号：785-1709-5-ND
  别名：785-1709-5
  AOK2500L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP020N06B_F102
  仓库库存编号：FDP020N06B_F102-ND
  别名：FDP020N06B
  FDP020N06B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4004PBF
  仓库库存编号：IRFP4004PBF-ND
  别名：SP001556734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH30S130P
  仓库库存编号：FGH30S130P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP041N12N3 G
  仓库库存编号：IPP041N12N3 G-ND
  别名：IPP041N12N3G
  IPP041N12N3GXKSA1
  SP000652746
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 40A 278W TO-220
  详细描述：IGBT 1200V 40A 278W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXYP20N120C3
  仓库库存编号：IXYP20N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：STP360N4F6
  仓库库存编号：497-13972-5-ND
  别名：497-13972-5
  STP360N4F6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40T120SMD_F155
  仓库库存编号：FGH40T120SMD_F155-ND
  
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 375W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60V60DF
  仓库库存编号：497-13768-5-ND
  别名：497-13768-5
  
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  MOSFET N-CH 300V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 517W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4868PBF
  仓库库存编号：IRFP4868PBF-ND
  别名：SP001556792
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP185N55F3
  仓库库存编号：497-7513-5-ND
  别名：497-7513-5
  STP185N55F3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 61A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP220N25NFDAKSA1
  仓库库存编号：IPP220N25NFDAKSA1-ND
  别名：SP001108126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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