产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述：IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号：
NGB8206N
仓库库存编号：
NGB8206N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述：IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号：
NGB8206NG
仓库库存编号：
NGB8206NG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
详细描述：IGBT 390V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号：
NGB8206NT4
仓库库存编号：
NGB8206NT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 440V 20A 125W DPAK
详细描述：IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号：
NGD8201NT4
仓库库存编号：
NGD8201NT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 390V 20A 125W DPAK
详细描述：IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK-3
型号：
NGD8205NT4
仓库库存编号：
NGD8205NT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 9.5A（Ta） 1.4W（Ta） 4-PLLP
型号：
NILMS4501NR2
仓库库存编号：
NILMS4501NR2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta） 64.7W（Ta） D2PAK
型号：
NTB13N10
仓库库存编号：
NTB13N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta） 64.7W（Ta） D2PAK
型号：
NTB13N10G
仓库库存编号：
NTB13N10G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06
仓库库存编号：
NTB18N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06G
仓库库存编号：
NTB18N06G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06L
仓库库存编号：
NTB18N06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 27.5A（Ta） 120W（Tj） D2PAK
型号：
NTB25P06
仓库库存编号：
NTB25P06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06G
仓库库存编号：
NTB30N06G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06L
仓库库存编号：
NTB30N06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06LG
仓库库存编号：
NTB30N06LG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06T4G
仓库库存编号：
NTB30N06T4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 30A（Ta） 2W（Ta），214W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N20
仓库库存编号：
NTB30N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5605P
仓库库存编号：
NTB5605P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 18.5A（Ta） 88W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5605PT4
仓库库存编号：
NTB5605PT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 2.4W（Ta），150W（Tj） D2PAK
型号：
NTB60N06L
仓库库存编号：
NTB60N06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
型号：
NTB75N06L
仓库库存编号：
NTB75N06L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
型号：
NTB75N06LG
仓库库存编号：
NTB75N06LG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
型号：
NTB75N06LT4G
仓库库存编号：
NTB75N06LT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 24V 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） I-Pak
型号：
NTD110N02R-001G
仓库库存编号：
NTD110N02R-001G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
型号：
NTD12N10-1G
仓库库存编号：
NTD12N10-1G-ND
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