产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4019PBF
仓库库存编号:
IRFB4019PBF-ND
别名:SP001572370
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 33.5A(Tc) 3.75W(Ta),155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB34P10TM_F085
仓库库存编号:
FQB34P10TM_F085CT-ND
别名:FQB34P10TM_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 217W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19501KCS
仓库库存编号:
296-37286-5-ND
别名:296-37286-5
CSD19501KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7437PBF
仓库库存编号:
IRFB7437PBF-ND
别名:SP001556080
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610PBF
仓库库存编号:
IRFB4610PBF-ND
别名:*IRFB4610PBF
SP001570704
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS3034TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS3034TRLPBFCT-ND
别名:IRLS3034TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76429D3
仓库库存编号:
HUFA76429D3FS-ND
别名:HUFA76429D3-ND
HUFA76429D3FS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2804STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2804STRLPBFCT-ND
别名:IRF2804STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Ta) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3004TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3004TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3004TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 200W(Tc) H2PAK
型号:
STH140N8F7-2
仓库库存编号:
497-14534-1-ND
别名:497-14534-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 72W(Tc) I-Pak
型号:
STU7NF25
仓库库存编号:
497-13980-5-ND
别名:497-13980-5
STU7NF25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZSPBF-ND
别名:*IRFZ44VZSPBF
SP001557886
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI3205PBF
仓库库存编号:
IRFI3205PBF-ND
别名:*IRFI3205PBF
64-7007PBF
64-7007PBF-ND
SP001570864
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFI4410ZPBF-ND
别名:SP001566742
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 259W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18502KCS
仓库库存编号:
296-34940-5-ND
别名:296-34940-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W D2PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB40V60F
仓库库存编号:
497-14978-1-ND
别名:497-14978-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFB59N10DPBF-ND
别名:*IRFB59N10DPBF
SP001560232
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP052NE7N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP052NE7N3GXKSA1-ND
别名:IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFB4410ZPBF-ND
别名:SP001564008
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3006TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3006TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3006TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 30A TO-220AB
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
型号:
STGP30M65DF2
仓库库存编号:
497-15841-5-ND
别名:497-15841-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3710PBF
仓库库存编号:
IRFP3710PBF-ND
别名:*IRFP3710PBF
64-6014PBF
64-6014PBF-ND
SP001552026
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48GPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48GPBF-ND
别名:*IRFIZ48GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S402ATMA1CT-ND
别名:IPB180N10S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA70N10
仓库库存编号:
FQA70N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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