产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRL
仓库库存编号:
IRF510STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRR
仓库库存编号:
IRF510STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520S
仓库库存编号:
IRF520S-ND
别名:*IRF520S
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRL
仓库库存编号:
IRF520STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520STRR
仓库库存编号:
IRF520STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530STRL
仓库库存编号:
IRF530STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9510L
仓库库存编号:
IRF9510L-ND
别名:*IRF9510L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRL
仓库库存编号:
IRF9510STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRR
仓库库存编号:
IRF9510STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9520L
仓库库存编号:
IRF9520L-ND
别名:*IRF9520L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRR
仓库库存编号:
IRF9520STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9530L
仓库库存编号:
IRF9530L-ND
别名:*IRF9530L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRR
仓库库存编号:
IRF9530STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9540L
仓库库存编号:
IRF9540L-ND
别名:*IRF9540L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 19A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540STRR
仓库库存编号:
IRF9540STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9Z14L
仓库库存编号:
IRF9Z14L-ND
别名:*IRF9Z14L
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRL
仓库库存编号:
IRF9Z14STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRR
仓库库存编号:
IRF9Z14STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 11A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24STRL
仓库库存编号:
IRF9Z24STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRR
仓库库存编号:
IRF9Z34STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI520G
仓库库存编号:
IRFI520G-ND
别名:*IRFI520G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520N
仓库库存编号:
IRFI9520N-ND
别名:*IRFI9520N
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14G
仓库库存编号:
IRFI9Z14G-ND
别名:*IRFI9Z14G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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