产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 22A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN050-80PS,127
仓库库存编号:
568-4901-5-ND
别名:568-4901-5
934063909127
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PHB146NQ06LT,118
仓库库存编号:
568-2185-1-ND
别名:568-2185-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 46A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 46A(Tc) 105W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9524-55A,127
仓库库存编号:
BUK9524-55A,127-ND
别名:934056281127
BUK9524-55A
BUK9524-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9504-40A,127
仓库库存编号:
568-9746-5-ND
别名:568-9746-5
934056692127
BUK9504-40A
BUK9504-40A,127-ND
BUK9504-40A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 40A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1955L,115
仓库库存编号:
568-2174-1-ND
别名:568-2174-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB222NQ04LT,118
仓库库存编号:
568-2189-1-ND
别名:568-2189-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7506-75B,127
仓库库存编号:
568-6619-5-ND
别名:568-6619
568-6619-5
568-6619-ND
934057109127
BUK7506-75B
BUK7506-75B,127-ND
BUK7506-75B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN005-55B,118
仓库库存编号:
PSMN005-55B,118-ND
别名:934055637118
PSMN005-55B /T3
PSMN005-55B /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB110NQ06LT,118
仓库库存编号:
568-2183-1-ND
别名:568-2183-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
PHB101NQ04T,118
仓库库存编号:
568-2182-1-ND
别名:568-2182-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510
仓库库存编号:
IRF510-ND
别名:*IRF510
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510
仓库库存编号:
IRF9510-ND
别名:*IRF9510
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110
仓库库存编号:
IRFD110-ND
别名:*IRFD110
IRFD111
IRFD112
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110
仓库库存编号:
IRFD9110-ND
别名:*IRFD9110
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9120
仓库库存编号:
IRFD9120-ND
别名:*IRFD9120
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
IRF530IR-ND
别名:*IRF530
IRF530IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120
仓库库存编号:
IRFD120-ND
别名:*IRFD120
IRFD121
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产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520
仓库库存编号:
IRF9520-ND
别名:*IRF9520
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530
仓库库存编号:
IRF9530-ND
别名:*IRF9530
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520
仓库库存编号:
IRF520IR-ND
别名:*IRF520
IRF520IR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9540
仓库库存编号:
IRF9540-ND
别名:*IRF9540
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 15A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530
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别名:*IRL530
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120
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别名:*IRLD120
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ24
仓库库存编号:
IRLZ24-ND
别名:*IRLZ24
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD014
仓库库存编号:
IRLD014-ND
别名:*IRLD014
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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