产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 76A(Tc) 125W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7787PBF
仓库库存编号:
IRFSL7787PBF-ND
别名:SP001576372
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 85A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7762PBF
仓库库存编号:
IRFSL7762PBF-ND
别名:SP001576382
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名:IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF4104
仓库库存编号:
AUIRF4104-ND
别名:SP001517252
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503SPBF
仓库库存编号:
IRF1503SPBF-ND
别名:*IRF1503SPBF
SP001561632
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N10S3-05
仓库库存编号:
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Ta),148A(Tc) 3.3W(Ta),94W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
IRF7748L1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7748L1TRPBFCT-ND
别名:IRF7748L1TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7734PBF
仓库库存编号:
IRFSL7734PBF-ND
别名:SP001557658
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRL2203N
仓库库存编号:
AUIRL2203N-ND
别名:SP001521374
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1010Z
仓库库存编号:
AUIRF1010Z-ND
别名:SP001515582
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 101W D2PAK
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 101W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4064DTRLPBF
仓库库存编号:
IRGS4064DTRLPBF-ND
别名:SP001535958
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 240A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N03S4LR8ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N03S4LR8ATMA1-ND
别名:SP000952928
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 31A(Ta),156A(Tc) 3.3W(Ta),83W(Tc) DIRECTFET L6
型号:
AUIRF7737L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7737L2TR-ND
别名:SP001519412
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3306TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3306TRL-ND
别名:SP001522172
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名:SP001102598
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 103A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名:IRF3610STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989106
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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