产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS8405TRL
仓库库存编号：
IFAUIRFS8405TRL-ND
别名：IFAUIRFS8405TRL
SP001517524
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFSL8405
仓库库存编号：
IRAUIRFSL8405-ND
别名：IRAUIRFSL8405
SP001522846
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB8405
仓库库存编号：
IRAUIRFB8405-ND
别名：IRAUIRFB8405
SP001516720
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU06N03LAGXK
仓库库存编号：
IPU06N03LAGXK-ND
别名：IPU06N03LA
IPU06N03LA G
IPU06N03LAGIN
IPU06N03LAGIN-ND
IPU06N03LAGX
IPU06N03LAGXTIN
IPU06N03LAGXTIN-ND
IPU06N03LAIN
IPU06N03LAIN-ND
SP000017594
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3206PBF
仓库库存编号：
IRFSL3206PBF-ND
别名：SP001578476
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名：SP000979636
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名：IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名：IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1018E
仓库库存编号：
AUIRF1018E-ND
别名：SP001519520
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI120N04S401AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N04S401AKSA1-ND
别名：IPI120N04S4-01
IPI120N04S4-01-ND
SP000705722
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 84A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA029N06NXKSA1
仓库库存编号：
IPA029N06NXKSA1-ND
别名：SP001199858
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL5615PBF
仓库库存编号：
IRFSL5615PBF-ND
别名：SP001567730
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 600V IGBT
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 77W Through Hole I-Pak
型号：
AUIRGU4045D
仓库库存编号：
AUIRGU4045D-ND
别名：SP001511536
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S207AKSA1-ND
别名：IPP80N08S2-07
IPP80N08S2-07-ND
SP000219040
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989104
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名：SP000989098
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102622
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S08AKSA1
仓库库存编号：
SPP80N06S08AKSA1-ND
别名：SP000054054
SP000084810
SPP80N06S-08
SPP80N06S-08-ND
SPP80N06S08
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 78A 370W TO262
详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL30B60KPBF
仓库库存编号：
IRGSL30B60KPBF-ND
别名：SP001541980
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1503STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1503STRLPBF-ND
别名：SP001550938
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 173A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7537PBF
仓库库存编号：
IRFSL7537PBF-ND
别名：SP001578438
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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