产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名：SP000840196
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 56A（Tc） 99W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7546PBF
仓库库存编号：
IRFU7546PBF-ND
别名：SP001571892
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPI80P03P4L-07
IPI80P03P4L-07-ND
SP000396320
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7440GPBF
仓库库存编号：
IRFB7440GPBF-ND
别名：SP001577780
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L09AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L09AKSA2-ND
别名：SP001061718
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S2L11AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S2L11AKSA2-ND
别名：SP001061396
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N04S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N04S403AKSA1-ND
别名：IPP80N04S4-03
IPP80N04S4-03-ND
SP000671756
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名：SP001101896
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP048N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP048N04NGXKSA1-ND
别名：IPP048N04N G
IPP048N04N G-ND
IPP048N04NG
SP000648308
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号：
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名：SP000876560
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840200
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名：SP000866562
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 84A（Tc） 4.2W（Ta），63W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN8401TR
仓库库存编号：
AUIRFN8401TR-ND
别名：SP001522256
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR6215TRL
仓库库存编号：
AUIRFR6215TRL-ND
别名：SP001522196
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 40.5W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI7446GPBF
仓库库存编号：
IRFI7446GPBF-ND
别名：SP001560478
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名：IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名：SP001065242
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7341GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7341GTRPBF-ND
别名：SP001563394
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 63W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB4B60KD1PBF
仓库库存编号：
IRGB4B60KD1PBF-ND
别名：*IRGB4B60KD1PBF
63-0002PBF
63-0002PBF-ND
SP001542250
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 87A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 56A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR3504TRL
仓库库存编号：
AUIRFR3504TRL-ND
别名：SP001520330
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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