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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL530NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL530NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N04S408ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB083N10N3 G
  仓库库存编号：IPB083N10N3 GCT-ND
  别名：IPB083N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF630NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF630NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-06AP-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-06AP-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-06AP-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3W（Ta），140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR15N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR15N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR15N20DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD082N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 145A（Tc） 153W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8444_F085
  仓库库存编号：FDD8444_F085CT-ND
  别名：FDD8444_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR7833TRPBF
  仓库库存编号：IRLR7833PBFCT-ND
  别名：*IRLR7833TRPBF
  IRLR7833PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90P03P404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P03P404ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P03P4-04INCT
  IPD90P03P4-04INCT-ND
  IPD90P03P404ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C423NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C423NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C423NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3806TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3806TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3806TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N06L3 G
  仓库库存编号：IPB034N06L3 GCT-ND
  别名：IPB034N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU120NPBF
  仓库库存编号：IRLU120NPBF-ND
  别名：*IRLU120NPBF
  SP001567330
  
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  MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB144N12N3 G
  仓库库存编号：IPB144N12N3 GCT-ND
  别名：IPB144N12N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540ZSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ24NPBF
  仓库库存编号：IRFZ24NPBF-ND
  别名：*IRFZ24NPBF
  SP001565128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR5305TRL
  仓库库存编号：AUIRFR5305TRLCT-ND
  别名：AUIRFR5305TRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ44NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4470
  仓库库存编号：FDS4470FSCT-ND
  别名：FDS4470FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU220NPBF
  仓库库存编号：IRFU220NPBF-ND
  别名：*IRFU220NPBF
  SP001567710
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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