产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 20A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT20DC120HJ
仓库库存编号：
APT20DC120HJ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 40A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT40DC60HJ
仓库库存编号：
APT40DC60HJ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6051
仓库库存编号：
1086-21079-ND
别名：1086-21079
1086-21079-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6058
仓库库存编号：
1086-21082-ND
别名：1086-21082
1086-21082-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号：
JANTXV2N6059
仓库库存编号：
1086-21085-ND
别名：1086-21085
1086-21085-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
详细描述：RF Diode PIN - Single 8000V 2A
型号：
GA01PNS80-220
仓库库存编号：
1242-1259-ND
别名：1242-1259
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236950
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名：SP000475916
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名：SP001063642
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名：SP001063628
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名：SP000249747
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 5A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD5N25S3430ATMA1
仓库库存编号：
IPD5N25S3430ATMA1-ND
别名：SP000876584
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名：SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号：
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名：IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG16N10S461ATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461ATMA1-ND
别名：SP000892972
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC70N04S54R6ATMA1
仓库库存编号：
IPC70N04S54R6ATMA1-ND
别名：SP001418124
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号：
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名：SP001418126
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号：
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名：SP001418114
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC90N04S5L3R3ATMA1
仓库库存编号：
IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
别名：SP001418122
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S461AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461AATMA1-ND
别名：SP001091952
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S4L61AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S4L61AATMA1-ND
别名：SP001102932
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名：SP001061722
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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