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产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,

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分立半导体产品 (10623)

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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 220A（Tc） 789W（Tc） SOT-227

型号：VS-FC220SA20
仓库库存编号：VS-FC220SA20-ND
别名：VSFC220SA20

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 168A（Tc） 600W（Tc） SMPD

型号：MMIX1F230N20T
仓库库存编号：MMIX1F230N20T-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 235A
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 235A（Tc） 680W（Tc） 24-SMPD

型号：MMIX1F360N15T2
仓库库存编号：MMIX1F360N15T2-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 334A（Tc） 680W（Tc） SMPD

型号：MMIX1F420N10T
仓库库存编号：MMIX1F420N10T-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227

型号：APT70SM70J
仓库库存编号：APT70SM70J-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 830W（Tc） 24-SMPD

型号：MMIX1T550N055T2
仓库库存编号：MMIX1T550N055T2-ND

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IXYS
IGBT 1200V 92A 400W SMPD
详细描述：IGBT 1200V 92A 400W Surface Mount SMPD

型号：MMIX1Y100N120C3H1
仓库库存编号：MMIX1Y100N120C3H1-ND

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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 80A（Tc） 555W（Tc） TO-247

型号：APT80SM120B
仓库库存编号：APT80SM120B-ND

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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A TO247
详细描述：通孔 1200V 45A（Tc） 282W（Tc） TO-247AB

型号：GA20SICP12-247
仓库库存编号：GA20SICP12-247-ND

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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak

型号：APT80SM120S
仓库库存编号：APT80SM120S-ND

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Microsemi Corporation
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 10A Chassis Mount SOT-227

型号：APT10DC120HJ
仓库库存编号：APT10DC120HJ-ND

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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?

型号：APT32F120J
仓库库存编号：APT32F120J-ND

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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)

型号：JAN2N6052
仓库库存编号：1086-21080-ND
别名：1086-21080
1086-21080-MIL

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含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)

型号：JAN2N6058
仓库库存编号：1086-21081-ND
别名：1086-21081
1086-21081-MIL

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含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JAN2N6059
仓库库存编号：1086-21083-ND
别名：1086-21083
1086-21083-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227

型号：APT80SM120J
仓库库存编号：APT80SM120J-ND

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Surface Mount TO-204AA (TO-3)

型号：JAN2N6383
仓库库存编号：1086-21109-ND
别名：1086-21109
1086-21109-MIL

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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JAN2N6384
仓库库存编号：1086-21111-ND
别名：1086-21111
1086-21111-MIL

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IXYS
DIODE SCHOTTKY 1200V ISOPLUS-5
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 6.6A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?

型号：FBS10-12SC
仓库库存编号：FBS10-12SC-ND

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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTX2N6384
仓库库存编号：1086-21112-ND
别名：1086-21112
1086-21112-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTX2N6051
仓库库存编号：1086-15533-ND
别名：1086-15533-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTX2N6059
仓库库存编号：1086-21084-ND
别名：1086-21084
1086-21084-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTXV2N6383
仓库库存编号：1086-21110-ND
别名：1086-21110
1086-21110-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTXV2N6384
仓库库存编号：1086-21113-ND
别名：1086-21113
1086-21113-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)

型号：JANTXV2N6385
仓库库存编号：1086-21115-ND
别名：1086-21115
1086-21115-MIL

产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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