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• IXYS
  IGBT 900V 310A 1630W TO247
  详细描述：IGBT 900V 310A 1630W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX140N90C3
  仓库库存编号：IXYX140N90C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 310A 1630W TO264
  详细描述：IGBT 900V 310A 1630W Through Hole TO-264 (IXYK)
  
  型号：IXYK140N90C3
  仓库库存编号：IXYK140N90C3-ND
  别名：Q7763666A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 240A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX240N15T2
  仓库库存编号：IXFX240N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 132A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DLA100B1200LB-TRR
  仓库库存编号：DLA100B1200LB-TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 28A TO247AD
  详细描述：IGBT 2500V 28A 310W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH12N250C
  仓库库存编号：IXYH12N250C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 132A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DLA100B1200LB
  仓库库存编号：DLA100B1200LB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX100N65B3D1
  仓库库存编号：IXYX100N65B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 25A（Tc） 175W（Tc） D3
  
  型号：APT25SM120S
  仓库库存编号：APT25SM120S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM110-015X2F
  仓库库存编号：FMM110-015X2F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 75V 120A 170W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMM150-0075X2F
  仓库库存编号：FMM150-0075X2F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 600A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX600N04T2
  仓库库存编号：IXTX600N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 550A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX550N055T2
  仓库库存编号：IXTX550N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 550A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 550A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK550N055T2
  仓库库存编号：IXTK550N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 600A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK600N04T2
  仓库库存编号：IXTK600N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 220A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 220A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK220N15P
  仓库库存编号：IXFK220N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX170N20P
  仓库库存编号：IXFX170N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX250N10P
  仓库库存编号：IXFX250N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N20P
  仓库库存编号：IXFK170N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 250A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK250N10P
  仓库库存编号：IXFK250N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  DIODE RECTIFER TRIPLE 1800V SMPD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 90A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DMA90U1800LB-TRR
  仓库库存编号：DMA90U1800LB-TRR-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOD DIODE 600V SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT100DL60HJ
  仓库库存编号：APT100DL60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  DIODE RECTIFER TRIPLE 1800V SMPD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1800V 90A Surface Mount ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：DMA90U1800LB
  仓库库存编号：DMA90U1800LB-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 156A（Tc） 600W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR230N20T
  仓库库存编号：IXFR230N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 2500V 29A TO247HV
  详细描述：IGBT 2500V 29A 280W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH8N250CV1HV
  仓库库存编号：IXYH8N250CV1HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 65A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT70SM70B
  仓库库存编号：APT70SM70B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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