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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 170A（Tc） 1150W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX170N20T
  仓库库存编号：IXFX170N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 96A 577W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 96A 577W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N120B3
  仓库库存编号：IXYH40N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 220A 830W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 220A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH100N60B3
  仓库库存编号：IXXH100N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 500A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 500A（Tc） 1000W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH500N04T2
  仓库库存编号：IXTH500N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX200N10P
  仓库库存编号：IXFX200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 440A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 440A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT440N055T2
  仓库库存编号：IXTT440N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 500A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 500A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT500N04T2
  仓库库存编号：IXTT500N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N25P
  仓库库存编号：IXFX120N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 400A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT400N075T2
  仓库库存编号：IXFT400N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 140A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK140N20P
  仓库库存编号：IXTK140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10P
  仓库库存编号：IXTK200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 520A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX520N075T2
  仓库库存编号：IXFX520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 520A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 520A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK520N075T2
  仓库库存编号：IXFK520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR200N10P
  仓库库存编号：IXTR200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 90A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR140N20P
  仓库库存编号：IXFR140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N15P
  仓库库存编号：IXFR180N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 133A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR200N10P
  仓库库存编号：IXFR200N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 180A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N15P
  仓库库存编号：IXFK180N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 600V 190A 830W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 190A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH100N60C3
  仓库库存编号：IXXH100N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 420A（Tc） 1670W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX420N10T
  仓库库存编号：IXFX420N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 420A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 420A（Tc） 1670W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK420N10T
  仓库库存编号：IXFK420N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT320N10T2
  仓库库存编号：IXFT320N10T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 2500V 29A TO247AD
  详细描述：IGBT 2500V 29A 280W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXYH8N250C
  仓库库存编号：IXYH8N250C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1KV SOT227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 45A Chassis, Stud Mount SOT-227
  
  型号：APT30DF100HJ
  仓库库存编号：APT30DF100HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 225A 1150W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXYX100N120B3
  仓库库存编号：IXYX100N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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