产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),36W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6612A
仓库库存编号:
FDD6612ACT-ND
别名:FDD6612ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD16NF06T4
仓库库存编号:
497-15667-1-ND
别名:497-15667-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2703TRPBFCT-ND
别名:*IRLR2703TRPBF
IRLR2703PBFCT
IRLR2703PBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3
型号:
FDD5612
仓库库存编号:
FDD5612CT-ND
别名:FDD5612CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.1A(Ta),40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD24AN06LA0_F085
仓库库存编号:
FDD24AN06LA0_F085CT-ND
别名:FDD24AN06LA0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105PBFCT-ND
别名:*IRFR4105TRPBF
IRFR4105PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta),19A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD256
仓库库存编号:
785-1476-1-ND
别名:785-1476-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名:IRFR9N20DTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta),14A(Tc) 65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD120AN15A0
仓库库存编号:
FDD120AN15A0CT-ND
别名:FDD120AN15A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 72W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N05SM9A
仓库库存编号:
RFD16N05SM9ACT-ND
别名:RFD16N05SM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3806TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3806TRPBFCT-ND
别名:IRFR3806TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号:
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名:IPD30N06S2L13ATMA4CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta),110A(Tc) 1.5W(Ta),110W(Tc) DPAK
型号:
NTD110N02RT4G
仓库库存编号:
NTD110N02RT4GOSCT-ND
别名:NTD110N02RT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),116A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8874
仓库库存编号:
FDD8874CT-ND
别名:FDD8874CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4104TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4104PBFCT-ND
别名:*IRFR4104TRPBF
IRFR4104PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 161A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7843TRPBF
仓库库存编号:
IRLR7843PBFCT-ND
别名:*IRLR7843TRPBF
IRLR7843PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号:
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名:IPD90N03S4L-02CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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