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• IXYS
  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N17T2
  仓库库存编号：IXFH150N17T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SMM2348ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SMM2348ES-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N15T
  仓库库存编号：IXTH160N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 120A 469W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW80V60F
  仓库库存编号：497-15135-5-ND
  别名：497-15135-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 100V 0.5A E-LINE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 40MHz Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  
  型号：ZTX415STZ
  仓库库存编号：ZTX415STZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 100A 600W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH50N60C3
  仓库库存编号：IXXH50N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 360A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH360N055T2
  仓库库存编号：IXTH360N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB50N60L2WG
  仓库库存编号：NGTB50N60L2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  DIODE BRIDGE 1PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 40A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FBO40-12N
  仓库库存编号：FBO40-12N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB75N60FL2WG
  仓库库存编号：NGTB75N60FL2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 715W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ170N10P
  仓库库存编号：IXTQ170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N06P
  仓库库存编号：IXTQ200N06P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 75A 500W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH30N120C3
  仓库库存编号：IXYH30N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF200N10T
  仓库库存编号：IXTF200N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 900V 165A 830W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH80N90C3
  仓库库存编号：IXYH80N90C3-ND
  别名：Q7763666B
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 60A 452W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 452W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB30N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB30N120FL2WGOS-ND
  别名：NGTB30N120FL2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB75N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB75N65FL2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 340A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 340A（Tc） 935W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT340N075T2
  仓库库存编号：IXFT340N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 60A 534W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 534W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB30N120L2WG
  仓库库存编号：NGTB30N120L2WGOS-ND
  别名：NGTB30N120L2WGOS
  
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  MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16N10D2
  仓库库存编号：IXTH16N10D2-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 420A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH420N04T2
  仓库库存编号：IXTH420N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N20P
  仓库库存编号：IXTQ120N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N15P
  仓库库存编号：IXTQ150N15P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170N10P
  仓库库存编号：IXTK170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 882W Through Hole TO-247
  
  型号：FGY40T120SMD
  仓库库存编号：FGY40T120SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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