产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(10623)
二极管 - 桥式整流器
(80)
二极管 - 射频
(25)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
(9)
二极管 - 齐纳 - 单
(1881)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
(26)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(273)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(7716)
晶体管 - IGBT - 模块
(17)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
(577)
晶体管 - JFET
(19)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(338)
Bourns Inc.(25)
Comchip Technology(9)
Diodes Incorporated(135)
Fairchild/ON Semiconductor(1041)
GeneSiC Semiconductor(5)
Global Power Technologies Group(10)
Infineon Technologies(3085)
IXYS(555)
Littelfuse Inc.(15)
M/A-Com Technology Solutions(15)
Micro Commercial Co(37)
Microsemi Corporation(73)
Nexperia USA Inc.(712)
NXP USA Inc.(277)
ON Semiconductor(908)
Skyworks Solutions Inc.(17)
STMicroelectronics(653)
Taiwan Semiconductor Corporation(1846)
Texas Instruments(29)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Transphorm(9)
Vishay Semiconductor Diodes Division(9)
Vishay Siliconix(819)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
IGBT 900V 46A 240W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH24N90C3
仓库库存编号:
IXYH24N90C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
FGH75T65UPD
仓库库存编号:
FGH75T65UPD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10P
仓库库存编号:
IXTT110N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 80A 300W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH40N65C3
仓库库存编号:
IXYH40N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH230N10T
仓库库存编号:
IXFH230N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 60A 270W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH30N60B3D1
仓库库存编号:
IXXH30N60B3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 880W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T2
仓库库存编号:
IXFH160N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH96N20P
仓库库存编号:
IXTH96N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N15P
仓库库存编号:
IXFH120N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH140N10P
仓库库存编号:
IXFH140N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH96N20P
仓库库存编号:
IXFH96N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTG40N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTG40N120FL2WG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR62N15P
仓库库存编号:
IXTR62N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 170A 750W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH75N65C3
仓库库存编号:
IXYH75N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO268HV
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXYT30N65C3H1HV
仓库库存编号:
IXYT30N65C3H1HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH74N20P
仓库库存编号:
IXFH74N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD
型号:
IXXH150N60C3
仓库库存编号:
IXXH150N60C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT BIPO 1200V 40A TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
STGWA40H120F2
仓库库存编号:
STGWA40H120F2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT120N15P
仓库库存编号:
IXTT120N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT96N20P
仓库库存编号:
IXTT96N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT120N15P
仓库库存编号:
IXFT120N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT140N10P
仓库库存编号:
IXFT140N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT96N20P
仓库库存编号:
IXFT96N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 120A 455W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD
型号:
IXXH40N65B4H1
仓库库存编号:
IXXH40N65B4H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 22A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR36P15P
仓库库存编号:
IXTR36P15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
243
244
245
246
247
248
249
250
251
252
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号