产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD30T120F2WP
仓库库存编号:
NGTD30T120F2WP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB0690N1507L
仓库库存编号:
FDB0690N1507L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N60FL2WG
仓库库存编号:
NGTB40N60FL2WGOS-ND
别名:NGTB40N60FL2WGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 25A TO247-3
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB25N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTB25N120FL2WG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD30T120F2SWK
仓库库存编号:
NGTD30T120F2SWK-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19506KTTT
仓库库存编号:
CSD19506KTTT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
STGW40H60DLFB
仓库库存编号:
497-14364-ND
别名:497-14364
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 650V 80A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N65FL2WG
仓库库存编号:
NGTB40N65FL2WGOS-ND
别名:NGTB40N65FL2WGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号:
NGTB40N120FL2WAG
仓库库存编号:
NGTB40N120FL2WAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA180N10T2
仓库库存编号:
IXFA180N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA230N075T2
仓库库存编号:
IXFA230N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP102N15T
仓库库存编号:
IXFP102N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP180N10T2
仓库库存编号:
IXFP180N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA90N15
仓库库存编号:
FQA90N15FS-ND
别名:FQA90N15-ND
FQA90N15FS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ86N20T
仓库库存编号:
IXTQ86N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP230N075T2
仓库库存编号:
IXTP230N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 260A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP260N055T2
仓库库存编号:
IXTP260N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号:
NGTB50N120FL2WAG
仓库库存编号:
NGTB50N120FL2WAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXFA230N075T2-7
仓库库存编号:
IXFA230N075T2-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
型号:
NGTB75N65FL2WAG
仓库库存编号:
NGTB75N65FL2WAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 40A 136W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GN60BG
仓库库存编号:
APT20GN60BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
FGH15T120SMD_F155
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FGH15T120SMD_F155-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA230N075T2
仓库库存编号:
IXTA230N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA260N055T2-7
仓库库存编号:
IXTA260N055T2-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA300N04T2-7
仓库库存编号:
IXTA300N04T2-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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