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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7
  
  型号：IXTA340N04T4-7
  仓库库存编号：IXTA340N04T4-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 25A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTG25N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTG25N120FL2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
  
  型号：NGTB25N120FL2WAG
  仓库库存编号：NGTB25N120FL2WAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247-4L
  
  型号：NGTB50N65FL2WAG
  仓库库存编号：NGTB50N65FL2WAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 58W TO3PF
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW30V60F
  仓库库存编号：497-13955-5-ND
  别名：497-13955-5
  STGFW30V60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA180N10T7
  仓库库存编号：IXTA180N10T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263AA
  
  型号：IXYA8N90C3D1
  仓库库存编号：IXYA8N90C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA102N15T
  仓库库存编号：IXFA102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 76A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 350W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA76N15T2
  仓库库存编号：IXFA76N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA300N04T2
  仓库库存编号：IXTA300N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1250V 60A 375W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT28IH125DF
  仓库库存编号：497-14562-5-ND
  别名：497-14562-5
  STGWT28IH125DF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP86N20T
  仓库库存编号：IXTP86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ90N15T
  仓库库存编号：IXTQ90N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 63A 203W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GN60BG
  仓库库存编号：APT30GN60BG-ND
  别名：APT30GN60BGMI
  APT30GN60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 90A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 455W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH90N15T
  仓库库存编号：IXTH90N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 102A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA102N15T
  仓库库存编号：IXTA102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA86N20T
  仓库库存编号：IXTA86N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 198W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B03NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B03NLWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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