产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18536KCS
仓库库存编号:
CSD18536KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL0200N100
仓库库存编号:
FDBL0200N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH30N65C3
仓库库存编号:
IXYH30N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 45A 600V TO-247
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB45N60S2WG
仓库库存编号:
NGTB45N60S2WGOS-ND
别名:NGTB45N60S2WGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA160N10T7
仓库库存编号:
IXTA160N10T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP90N15T
仓库库存编号:
IXTP90N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 390W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ110N055P
仓库库存编号:
IXTQ110N055P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N20P
仓库库存编号:
IXTQ50N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 350W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ62N15P
仓库库存编号:
IXTQ62N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ75N10P
仓库库存编号:
IXTQ75N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB15N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTB15N120FL2WG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 70A 300W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB30N65IHL2WG
仓库库存编号:
NGTB30N65IHL2WG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP048RPBF
仓库库存编号:
IRFP048RPBF-ND
别名:*IRFP048RPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40T70SHD_F155
仓库库存编号:
FGH40T70SHD_F155-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS4 TRENCH IGBT
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
FGH50T65SQD_F155
仓库库存编号:
FGH50T65SQD_F155-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N15T
仓库库存编号:
IXTA90N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 340A
详细描述:通孔 N 沟道 340A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP340N04T4
仓库库存编号:
IXTP340N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N20T
仓库库存编号:
IXTP60N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB015N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB015N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB015N08N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
STGWA60V60DF
仓库库存编号:
STGWA60V60DF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD28T65F2WP
仓库库存编号:
NGTD28T65F2WP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140N055T2
仓库库存编号:
IXTP140N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD28T65F2SWK
仓库库存编号:
NGTD28T65F2SWK-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-247
型号:
IXTH270N04T4
仓库库存编号:
IXTH270N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 340A
详细描述:表面贴装 N 沟道 340A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA340N04T4
仓库库存编号:
IXTA340N04T4-ND
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