产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD21T65F2WP
仓库库存编号:
NGTD21T65F2WP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP047AN08A0_F102
仓库库存编号:
FDP047AN08A0_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA48N20T
仓库库存编号:
IXTA48N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N075T2
仓库库存编号:
IXTA120N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA130N065T2
仓库库存编号:
IXTA130N065T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD21T65F2SWK
仓库库存编号:
NGTD21T65F2SWK-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 270A
详细描述:通孔 N 沟道 270A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP270N04T4
仓库库存编号:
IXTP270N04T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 429W(Tc) 8-HPSOF
型号:
FDBL86062_F085
仓库库存编号:
FDBL86062_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 650V 18A 50W TO220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP20N65C3D1
仓库库存编号:
IXYP20N65C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 3.12W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM52N20-39P-E3
仓库库存编号:
SUM52N20-39P-E3TR-ND
别名:SUM52N20-39P-E3-ND
SUM52N20-39P-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N065T2
仓库库存编号:
IXTP130N065T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 80A TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
STGWA40H65DFB
仓库库存编号:
STGWA40H65DFB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI540G
仓库库存编号:
IRLI540G-ND
别名:*IRLI540G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP170N075T2
仓库库存编号:
IXTP170N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP220N04T2
仓库库存编号:
IXTP220N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP130N10T
仓库库存编号:
IXFP130N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120N075T2
仓库库存编号:
IXTP120N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP160N04T2
仓库库存编号:
IXTP160N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA110N15T2
仓库库存编号:
IXFA110N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 650V 16A 48W TO-220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP15N65C3D1M
仓库库存编号:
IXYP15N65C3D1M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3205
仓库库存编号:
AUIRF3205-ND
别名:SP001519502
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-03P-E3TR-ND
别名:SUM110N04-03P-E3-ND
SUM110N04-03P-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD95NH02LT4
仓库库存编号:
497-4105-1-ND
别名:497-4105-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP038AN06A0_F102
仓库库存编号:
FDP038AN06A0_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 350W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP76N15T2
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