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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LS
  仓库库存编号：TPH3206LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 1150W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK170N20T
  仓库库存编号：IXFK170N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 17A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3206PD
  仓库库存编号：TPH3206PD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 400A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH400N075T2
  仓库库存编号：IXFH400N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 240A 750W SUPER-247
  详细描述：IGBT Trench 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS4067DPBF
  仓库库存编号：IRGPS4067DPBF-ND
  别名：SP001536538
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 240A 750W TO-274
  详细描述：IGBT Trench 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：AUIRGPS4067D1
  仓库库存编号：AUIRGPS4067D1-ND
  别名：SP001512434
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 220A 1150W SUPER247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 220A 1150W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRG7PSH73K10PBF
  仓库库存编号：IRG7PSH73K10PBF-ND
  别名：SP001549408
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN CERAMIC AXIAL HI-PAX
  详细描述：RF Diode PIN - Single 200V 2.5W Axial
  
  型号：MA4P4002B-402
  仓库库存编号：1465-1039-ND
  别名：1465-1039
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 310A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN360N15T2
  仓库库存编号：IXFN360N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4909NT4G
  仓库库存编号：NTD4909NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4909NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD454A
  仓库库存编号：785-1223-1-ND
  别名：785-1223-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8726TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8726TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8726TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NT4G
  仓库库存编号：NTD4809NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4809NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8880
  仓库库存编号：FDD8880CT-ND
  别名：FDD8880CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE VARACTOR
  详细描述：Varactor Single 22V Surface Mount 0402
  
  型号：SMV2204-040LF
  仓库库存编号：863-1746-1-ND
  别名：863-1746-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8729TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8729TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8729TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4858NT4G
  仓库库存编号：NTD4858NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4858NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76407D3ST
  仓库库存编号：HUF76407D3STFSCT-ND
  别名：HUF76407D3STFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD09P06PL G
  仓库库存编号：SPD09P06PL GCT-ND
  别名：SPD09P06PL GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD18NF03L
  仓库库存编号：497-7961-1-ND
  别名：497-7961-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3709ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3709ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR3709ZTRPBF
  IRFR3709ZPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8876
  仓库库存编号：FDD8876CT-ND
  别名：FDD8876CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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