产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD024
仓库库存编号:
IRFD024-ND
别名:*IRFD024
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-04-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-04-E3TR-ND
别名:SUM110N04-04-E3-ND
SUM110N04-04-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号:
DMNH4005SCTQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
DMNH6008SCTQ
仓库库存编号:
DMNH6008SCTQDI-ND
别名:DMNH6008SCTQ-ND
DMNH6008SCTQDI
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 152A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta),152A(Tc) 2.1W(Ta),375W(Tc) TO-262
型号:
AOW2500
仓库库存编号:
AOW2500-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB270AL
仓库库存编号:
AOB270AL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD17T65F2WP
仓库库存编号:
NGTD17T65F2WP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB280L
仓库库存编号:
AOB280L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 77A(Tc) 217W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6411ANT4G
仓库库存编号:
NVB6411ANT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta), 165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B05NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B05NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM85N15-19_GE3
仓库库存编号:
SQM85N15-19_GE3-ND
别名:SQM85N15-19-GE3
SQM85N15-19-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50020EL_GE3
仓库库存编号:
SQM50020EL_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号:
SQP90P06-07L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 48A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta),315A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta), 330A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C410NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C410NLAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 21.5A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-220
型号:
AOT270L
仓库库存编号:
785-1439-5-ND
别名:785-1439-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ44G
仓库库存编号:
IRLIZ44G-ND
别名:*IRLIZ44G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120N04T2
仓库库存编号:
IXTA120N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP047N10
仓库库存编号:
FDP047N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 190W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ48RSPBF
仓库库存编号:
IRFZ48RSPBF-ND
别名:*IRFZ48RSPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount Die
型号:
NGTD17T65F2SWK
仓库库存编号:
NGTD17T65F2SWK-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44STRRPBF
仓库库存编号:
IRLZ44STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19535KTT
仓库库存编号:
296-45538-1-ND
别名:296-45538-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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