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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48SPBF
  仓库库存编号：IRFZ48SPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLAFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 167W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB20V60DF
  仓库库存编号：497-15118-1-ND
  别名：497-15118-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 5.4W（Ta），254W（Tc） D2PAK
  
  型号：NVB5404NT4G
  仓库库存编号：NVB5404NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10
  仓库库存编号：IRF9Z10-ND
  别名：*IRF9Z10
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9406_F085
  仓库库存编号：FDB9406_F085CT-ND
  别名：FDB9406_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ44STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM110N05-06L_GE3
  仓库库存编号：SQM110N05-06L_GE3-ND
  别名：SQM110N05-06L-GE3
  SQM110N05-06L-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N02-1M3L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N02-1M3L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M8_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M8_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT TRENCH 650V 40A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGWA20M65DF2
  仓库库存编号：STGWA20M65DF2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N03-3M6P-GE3
  仓库库存编号：SUP85N03-3M6P-GE3-ND
  别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
  SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFAFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），130A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB1100L
  仓库库存编号：785-1319-1-ND
  别名：785-1319-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），272.5W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT282L
  仓库库存编号：AOT282L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLWFT1G-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C612NLWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8350LET40
  仓库库存编号：FDMS8350LET40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA100N04T2
  仓库库存编号：IXTA100N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA70N075T2
  仓库库存编号：IXTA70N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA90N055T2
  仓库库存编号：IXTA90N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP120N04T2
  仓库库存编号：IXTP120N04T2-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8860
  仓库库存编号：FDB8860CT-ND
  别名：FDB8860CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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