产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50P08-28_GE3
仓库库存编号:
SQD50P08-28_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 3.7W(Ta),42W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6796A
仓库库存编号:
FDD6796ACT-ND
别名:FDD6796ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5862NG
仓库库存编号:
NTP5862NG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta) 3.8W(Ta),158W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5830NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5830NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK
型号:
NVB25P06T4G
仓库库存编号:
NVB25P06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530STRRPBF
仓库库存编号:
IRL530STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 16A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB284L
仓库库存编号:
AOB284L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK762R4-60E,118
仓库库存编号:
1727-7134-1-ND
别名:1727-7134-1
568-9566-1
568-9566-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLIZ24G
仓库库存编号:
IRLIZ24G-ND
别名:*IRLIZ24G
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta) 3.8W(Ta),158W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5830NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5830NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N10-30_GE3
仓库库存编号:
SQM40N10-30_GE3-ND
别名:SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQM25N15-52_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP25N15-52_GE3
仓库库存编号:
SQP25N15-52_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP50P03-07_GE3
仓库库存编号:
SQP50P03-07_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 37.1A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252
型号:
SUD50P10-43L-GE3
仓库库存编号:
SUD50P10-43L-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta),94W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B14NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B14NWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 22A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB22P10TM_F085
仓库库存编号:
FQB22P10TM_F085CT-ND
别名:FQB22P10TM_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN005-75B,118
仓库库存编号:
1727-4769-1-ND
别名:1727-4769-1
568-5947-1
568-5947-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN009-100P,127
仓库库存编号:
1727-4653-ND
别名:1727-4653
568-5770
568-5770-5
568-5770-5-ND
568-5770-ND
934057044127
PSMN009-100P
PSMN009-100P,127-ND
PSMN009-100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN7R8-120PSQ
仓库库存编号:
1727-1816-ND
别名:1727-1816
568-11431-5
568-11431-5-ND
934067448127
PSMN7R8-120PSQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop Surface Mount D2PAK
型号:
STGB20M65DF2
仓库库存编号:
STGB20M65DF2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1250V 30A 136W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3PN
型号:
FGA15S125P
仓库库存编号:
FGA15S125P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),180A(Tc) 1.9W(Ta),333W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB480L
仓库库存编号:
785-1213-1-ND
别名:785-1213-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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