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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 375W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW60H65DFB
  仓库库存编号：497-14367-ND
  别名：497-14367
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N25-60-E3
  仓库库存编号：SUP40N25-60-E3-ND
  别名：SUP40N25-60-E3CT
  SUP40N25-60-E3CT-ND
  SUP40N2560E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 209A（Tc） 470W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP2907PBF
  仓库库存编号：IRFP2907PBF-ND
  别名：*IRFP2907PBF
  SP001571058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40T100SMD
  仓库库存编号：FGH40T100SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH3632
  仓库库存编号：FDH3632FS-ND
  别名：FDH3632-ND
  FDH3632FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP075N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP075N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP075N15N3 G
  IPP075N15N3 G-ND
  IPP075N15N3G
  SP000680832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP90N20DPBF
  仓库库存编号：IRFP90N20DPBF-ND
  别名：*IRFP90N20DPBF
  SP001552070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• M/A-Com Technology Solutions
  NON MAGNETIC AXIAL LEAD CERAMIC
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 1.5W Axial
  
  型号：MA4P1200NM-401T
  仓库库存编号：1465-1223-1-ND
  别名：1465-1223-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4010PBF
  仓库库存编号：IRFSL4010PBF-ND
  别名：SP001567760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 150A 750W POWER-247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
  
  型号：FGY75N60SMD
  仓库库存编号：FGY75N60SMDFS-ND
  别名：FGY75N60SMD-ND
  FGY75N60SMDFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 120A 349W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 349W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH60T65SHD_F155
  仓库库存编号：FGH60T65SHD_F155-ND
  别名：FGH60T65SHDF155
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 84A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP120N20NFDAKSA1
  仓库库存编号：IPP120N20NFDAKSA1-ND
  别名：SP001108122
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1500V 60A TO-247
  详细描述：IGBT 1500V 60A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH30S150P
  仓库库存编号：FGH30S150P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 171A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 171A（Tc） 517W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4568PBF
  仓库库存编号：IRFP4568PBF-ND
  别名：SP001560548
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP110N20N3 G
  仓库库存编号：IPP110N20N3 G-ND
  别名：IPP110N20N3G
  IPP110N20N3GXKSA1
  SP000677892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH26P20P
  仓库库存编号：IXTH26P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N25N3 G
  仓库库存编号：IPP200N25N3 G-ND
  别名：IPP200N25N3G
  IPP200N25N3GXKSA1
  SP000677894
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4468PBF
  仓库库存编号：IRFP4468PBF-ND
  别名：SP001554960
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP110N20NA
  仓库库存编号：IPP110N20NA-ND
  别名：IPP110N20NAAKSA1
  SP000877672
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE FAST SGL I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FBE22-06N1
  仓库库存编号：FBE22-06N1-ND
  别名：FBE2206N1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 650V 234A 880W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH110N65C4
  仓库库存编号：IXXH110N65C4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 340A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 935W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH340N075T2
  仓库库存编号：IXFH340N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PS
  仓库库存编号：TPH3202PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PD
  仓库库存编号：TPH3202PD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  GAN FET 600V 17A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LD
  仓库库存编号：TPH3206LD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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